发明公开
KR1020120121930A 와이드 대역갭 반도체의 노멀리-오프 통합 ＪＦＥＴ 전력 스위치 및 그 제조 방법
失效 - Ended(transfer of patent right)
基本信息:
- 专利标题： 와이드 대역갭 반도체의 노멀리-오프 통합 ＪＦＥＴ 전력 스위치 및 그 제조 방법
- 专利标题（英）：Normally-off integrated jfet power switches in wide bandgap semiconductors and methods of making
- 专利标题（中）：宽范围半导体中的正常集成JFET功率开关及其制造方法
- 申请号：KR1020127027277 申请日：2005-11-30
- 公开(公告)号：KR1020120121930A 公开(公告)日：2012-11-06
- 发明人： 산킨,이고르 , 머레트,조셉,닐
- 申请人： 에스에스 에스시 아이피, 엘엘시
- 申请人地址： **** Livingston Lane, Jackson, MS *****, USA
- 专利权人： 에스에스 에스시 아이피, 엘엘시
- 当前专利权人： 에스에스 에스시 아이피, 엘엘시
- 当前专利权人地址： **** Livingston Lane, Jackson, MS *****, USA
- 代理人： 양영준; 백만기
- 优先权： US11/000,222 2004-12-01
- 国际申请： PCT/US2005/042982 2005-11-30
- 国际公布： WO2006060337 2006-06-08
- 主分类号： H01L27/085
- IPC分类号： H01L27/085 ; H01L29/76
摘要：
노멀리-오프 VJFET 통합 전력 스위치를 포함하는 와이드 대역갭 반도체 디바이스가 설명된다. 전력 스위치는 모놀리딕하게 또는 하이브리드식으로 구현될 수 있고, 단일 또는 멀티-칩 와이드 대역갭 전력 반도체 모듈에 구축된 제어 회로와 통합될 수 있다. 디바이스는 고전력, 온도-저항성 및 방사-저항성 전자 컴포넌트에 이용될 수 있다. 디바이스를 만드는 방법도 설명된다.
摘要（英）：
A normally-wide-band gap semiconductor device comprising an integrated power VJFET off switch is described. The power switch can be implemented in a hybrid or monolithic Riddick to, single or multi-can be integrated with the control circuit built in the chip wide band gap power semiconductor module. Devices are high-power, high-temperature-resistant may be used for the electronic component, and radiation resistance. How to make the device are also described.
公开/授权文献:
- KR101239564B1 와이드 대역갭 반도체의 노멀리-오프 통합 ＪＦＥＴ 전력 스위치 및 그 제조 방법 公开/授权日：2013-03-05
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/085 | ....只包含场效应的组件 |