基本信息:
- 专利标题： 콘택트 형성 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 및 반도체 장치
- 专利标题（英）：Contact formation method, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device
- 专利标题（中）：接触形成方法，半导体器件制造方法和半导体器件
- 申请号：KR1020127024359 申请日：2009-10-23
- 公开(公告)号：KR1020120107534A 公开(公告)日：2012-10-02
- 发明人： 오미다다히로 , 데라모토아키노부 , 이소가이다츠노리 , 다나카히로아키
- 申请人： 고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠 , 고에키자이단호진 고쿠사이카가쿠 신고우자이단
- 申请人地址： *-*, Katahira *-chome, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi, Japan
- 专利权人： 고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠,고에키자이단호진 고쿠사이카가쿠 신고우자이단
- 当前专利权人： 고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠,고에키자이단호진 고쿠사이카가쿠 신고우자이단
- 当前专利权人地址： *-*, Katahira *-chome, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi, Japan
- 代理人： 특허법인코리아나
- 优先权： JPJP-P-2008-279536 2008-10-30
- 国际申请： PCT/JP2009/068233 2009-10-23
- 国际公布： WO2010050405 2010-05-06
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L21/336
摘要：
저저항률의 콘택트를 실현한 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.
반도체와 접한 제 1 금속층을 산화 방지용 제 2 금속층으로 덮은 상태에서 제 1 금속층만을 실리사이드화하여, 산소 혼입이 없는 실리사이드층을 형성한다. 제 1 금속층의 재료로서, 반도체와의 일함수의 차이가 소정의 값이 되는 금속이 사용되고, 제 2 금속층의 재료로서, 어닐 온도에서 제 1 금속층과 반응하지 않는 금속이 사용된다.
摘要（中）：
반도체와 접한 제 1 금속층을 산화 방지용 제 2 금속층으로 덮은 상태에서 제 1 금속층만을 실리사이드화하여, 산소 혼입이 없는 실리사이드층을 형성한다. 제 1 금속층의 재료로서, 반도체와의 일함수의 차이가 소정의 값이 되는 금속이 사용되고, 제 2 금속층의 재료로서, 어닐 온도에서 제 1 금속층과 반응하지 않는 금속이 사용된다.
提供了实现低电阻率的接触的半导体器件制造方法。 在与半导体接触的第一金属层被用于防止氧化的第二金属层覆盖的状态下，仅将第一金属层硅化以形成不混合氧的硅化物层。 作为第一金属层的材料，使用与半导体具有预定值的功函数差的金属。 作为第二金属层的材料，使用在退火温度下不与第一金属层反应的金属。
摘要（英）：
It provides a method for producing a semiconductor device realizing a contact of low resistivity.
To the screen only the first metal layer in a state covered with the silicide of the first metal layer in contact with the semiconductor in a second metal layer for preventing oxidation, thereby forming a silicide layer without the incorporation of oxygen. As the material of the first metal layer, the metal of the semiconductor work function difference is that a predetermined value is used, as the material for the second metal layer, the metal does not react with the first metal layer at the annealing temperature used.
公开/授权文献:
- KR101288645B1 콘택트 형성 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 및 반도체 장치 公开/授权日：2013-07-22
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |