基本信息:
- 专利标题： 비정질 탄소의 도핑에 의해 불화탄소（ＣＦＸ） 막의 접착성을 향상시키는 방법
- 专利标题（英）：Improving the adhesiveness of fluorocarbon(cfx) film by doping of amorphous carbon
- 专利标题（中）：通过非晶态碳掺杂改善氟化碳（CFX）膜的粘附性
- 申请号：KR1020127001718 申请日：2010-06-25
- 公开(公告)号：KR1020120092545A 公开(公告)日：2012-08-21
- 发明人： 기쿠치요시유키
- 申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
- 申请人地址： *-* Akasaka *-chome, Minato-ku, Tokyo, Japan
- 专利权人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
- 当前专利权人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
- 当前专利权人地址： *-* Akasaka *-chome, Minato-ku, Tokyo, Japan
- 代理人： 김태홍
- 优先权： US61/269,687 2009-06-26
- 国际申请： PCT/US2010/001833 2010-06-25
- 国际公布： WO2010151337 2010-12-29
- 主分类号： H01L21/312
- IPC分类号： H01L21/312
摘要：
본 발명에 따른 절연층 상에 비정질 탄소층을 형성하는 방법은, 플라즈마 반응 프로세스를 이용하여 비정질 탄소층을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 비정질 탄소층은 플라즈마 여기 가스, CxHy계 가스, 규소 함유 가스 및 산소 함유 가스를 포함하는 분위기에서 형성된다.
摘要（英）：
A method of forming an amorphous carbon layer on the insulating layer according to the present invention, by using a plasma reaction process includes forming an amorphous carbon layer. The amorphous carbon layer is formed in an atmosphere containing a plasma excitation gas, CxHy-based gas, a silicon-containing gas and an oxygen-containing gas.
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/312 | ......有机层，例如光刻胶 |