基本信息:
- 专利标题： 갈륨 비소 광전지 장치를 위한 셀프-바이패스 다이오드 기능
- 专利标题（英）：Self-bypass diode function for gallium arsenide photovoltaic devices
- 专利标题（中）：自对偶二极管功能用于阿拉伯光伏器件
- 申请号：KR1020120013069 申请日：2012-02-09
- 公开(公告)号：KR1020120092054A 公开(公告)日：2012-08-20
- 发明人： 니,후이 , 케이스,브렌던엠. , 키질리알리,이식씨.
- 申请人： 알타 디바이씨즈, 인크.
- 申请人地址： *** Oakmead Parkway, Sunnyvale, CA *****, USA
- 专利权人： 알타 디바이씨즈, 인크.
- 当前专利权人： 알타 디바이씨즈, 인크.
- 当前专利权人地址： *** Oakmead Parkway, Sunnyvale, CA *****, USA
- 代理人： 강명구; 김현석
- 优先权： US13/023,733 2011-02-09
- 主分类号： H01L31/06
- IPC分类号： H01L31/06 ; H01L31/072 ; H01L31/04
摘要：
PURPOSE: A self-bypass diode function for a GaAs photovoltaic device is provided to improve a tunneling effect between bands by providing high doping density to an absorption layer. CONSTITUTION: A buffer layer(102) is formed on a substrate(101). An n type contact layer(105) is formed on the buffer layer. A front window(106) is formed on the n type contact layer. An absorption layer(108) is formed on the front window. A middle layer(114) is formed on the absorption layer and includes a grade layer(115) and a rear window layer(117).
摘要（中）：
目的：提供GaAs光伏器件的自旁路二极管功能，通过向吸收层提供高掺杂密度来改善带间的隧道效应。 构成：在衬底（101）上形成缓冲层（102）。 在缓冲层上形成n型接触层（105）。 在n型接触层上形成前窗（106）。 吸收层（108）形成在前窗上。 中间层（114）形成在吸收层上，并包括等级层（115）和后窗层（117）。