基本信息:
- 专利标题： 반도체 장치와 그것의 제작 방법
- 专利标题（英）：Semiconductor device and method for manufacturing the same
- 专利标题（中）：半导体装置及其制造方法
- 申请号：KR1020127018471 申请日：2010-12-06
- 公开(公告)号：KR1020120089776A 公开(公告)日：2012-08-13
- 发明人： 야마자키순페이 , 히로하시타쿠야 , 타카하시마사히로 , 시마즈타카시
- 申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 申请人地址： 일본국 가나가와켄 아쓰기시 하세 ***
- 专利权人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 当前专利权人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 当前专利权人地址： 일본국 가나가와켄 아쓰기시 하세 ***
- 代理人： 황의만
- 优先权： JPJP-P-2009-288494 2009-12-18
- 国际申请： PCT/JP2010/072304 2010-12-06
- 国际公布： WO2011074506 2011-06-23
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L29/786
기판 위에 1원계 산화물 반도체층을 형성하고, 500℃ 이상 1000℃ 이하, 바람직하게는 550℃ 이상 750℃ 이하의 가열 처리를 행하여 표면에서 내부를 향하여 결정 성장시켜, 단결정 영역을 가지는 1원계 산화물 반도체층을 형성하고, 단결정 영역을 가지는 1원계 산화물 반도체층 위에 단결정 영역을 가지는 다원계 산화물 반도체층을 적층한다.
The invention, and at the same time enables the large area of the substrate, the crystallinity can make, and in large display devices and high performance to form a fine oxide semiconductor layer, and manufacturing a transistor having a high field-effect mobility of the desired and to reduce the practical use such as a semiconductor device to a challenge.
By crystal growth is performed the first binary oxide forming the semiconductor layer, and above 500 ℃ below 1000 ℃, preferably heat-treated in a range from 550 ℃ 750 ℃ on the substrate towards the inner surface, a ternary oxide semiconductor layer having a single-crystal region the formation, and laminating the multi-element oxide semiconductor layer having a single-crystal region on the first alloy oxide semiconductor layer having a single-crystal region.
公开/授权文献:
- KR101830195B1 반도체 장치와 그것의 제작 방법 公开/授权日：2018-02-20
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/335 | .....场效应晶体管 |
| ------------------H01L21/336 | ......带有绝缘栅的 |