基本信息:
- 专利标题： 자기-정렬형 실리콘 카바이드 반도체 장치 및 그 제조 방법
- 专利标题（英）：Self-aligned silicon carbide semiconductor devices and methods of making the same
- 专利标题（中）：自对准硅碳化硅半导体器件及其制造方法
- 申请号：KR1020127014340 申请日：2005-03-14
- 公开(公告)号：KR1020120062948A 公开(公告)日：2012-06-14
- 发明人： 산킨,이고르 , 카사디,제나비. , 머렛,조셉엔.
- 申请人： 에스에스 에스시 아이피, 엘엘시
- 申请人地址： **** Livingston Lane, Jackson, MS *****, USA
- 专利权人： 에스에스 에스시 아이피, 엘엘시
- 当前专利权人： 에스에스 에스시 아이피, 엘엘시
- 当前专利权人地址： **** Livingston Lane, Jackson, MS *****, USA
- 代理人： 양영준; 백만기
- 优先权： US11/076,857 2005-03-11; US60/552,398 2004-03-12
- 国际申请： PCT/US2005/008526 2005-03-14
- 国际公布： WO2005089303 2005-09-29
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L29/78 ; H01L21/338
+ -형 도핑된 SiC층을 포함하는 기판을 금속 에칭 마스크를 사용하여 돌기된 소스 및 드레인 영역(예를 들어, 돌기된 핑거들)이 한정되도록 에칭하는 자지-정렬형 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 그 후, 금속 에칭 마스크를 어닐링하여 소스 및 드레인 저항성 접점을 형성한다. 그 후, 단일층 또는 다층의 유전체막을 성장 또는 피착시키고 이방성 에칭을 행한다. 이어서, 쇼트키 접점층 및 최종 금속층을 증착 또는 이방성 피착 기술을 이용하여 피착시킨 후에 유전체층 또는 유전체층들에 대해 선택적으로 등방성 에칭을 행한다.
The invention which improves the magnetic current stability provides a power-aligned silicon carbide MESFET device and its manufacturing method. Apparatus of the present invention having the source and drain regions separated by a gate recess protrusion is improved the current stability is reduced by being surface trapping phenomenon even at low gate bias. Apparatus of the present invention is n- type doped channel SiC layer on the n
+ - projections by using the metal mask, etching a substrate comprising a SiC-type doped layer source and drain regions (e.g., the finger projections) are It can be prepared using the process-aligned-cocks to be limited to etching. Thereafter, annealing the metal etch mask to form source and drain contact resistance. Then, a dielectric film of single layer or multi-layer growth or deposition and anisotropic etching is carried out. Subsequently, isotropic etching is selectively performed for the dielectric layer or the dielectric layer after the Schottky contact layer and the final metal layer is deposited by a deposition technique or the anisotropic deposition.
公开/授权文献:
- KR101259330B1 자기-정렬형 실리콘 카바이드 반도체 장치 및 그 제조 방법 公开/授权日：2013-05-06
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/335 | .....场效应晶体管 |
| ------------------H01L21/336 | ......带有绝缘栅的 |