基本信息:
- 专利标题： 발광 다이오드, 발광 다이오드 램프 및 조명 장치
- 专利标题（英）：Light emitting diode, light emitting diode lamp, and illuminating apparatus
- 专利标题（中）：发光二极管，发光二极管灯和照明装置
- 申请号：KR1020127006403 申请日：2010-09-13
- 公开(公告)号：KR1020120040271A 公开(公告)日：2012-04-26
- 发明人： 아이하라노리유끼 , 다께우찌료오이찌 , 무라끼노리따까
- 申请人： 쇼와 덴코 가부시키가이샤
- 申请人地址： **-*, Shibadaimon *-chome, Minato-ku, Tokyo ***-****, Japan
- 专利权人： 쇼와 덴코 가부시키가이샤
- 当前专利权人： 쇼와 덴코 가부시키가이샤
- 当前专利权人地址： **-*, Shibadaimon *-chome, Minato-ku, Tokyo ***-****, Japan
- 代理人： 장수길; 이중희
- 优先权： JPJP-P-2009-213225 2009-09-15; JPJP-P-2010-179471 2010-08-10
- 国际申请： PCT/JP2010/065713 2010-09-13
- 国际公布： WO2011034018 2011-03-24
- 主分类号： H01L33/30
- IPC分类号： H01L33/30 ; H01L33/04 ; H01L33/06
摘要：
700nm 이상의 적외의 발광 파장을 갖고, 단색성이 우수함과 함께, 고출력?고효율이며 내습성이 우수한 발광 다이오드를 제공한다. 본 발명에 따른 발광 다이오드는 조성식 (Al
X Ga
1-X )As(0≤X≤1)로 이루어지는 웰층(12)과 배리어층(13)의 적층 구조를 가지며 적외광을 발하는 활성층을 포함하는 발광부(7)와, 발광부(7) 상에 형성된 전류 확산층(8)과, 전류 확산층(8)에 접합된 기능성 기판(3)을 구비한 것을 특징으로 한다.
摘要（英）：
X Ga
1-X )As(0≤X≤1)로 이루어지는 웰층(12)과 배리어층(13)의 적층 구조를 가지며 적외광을 발하는 활성층을 포함하는 발광부(7)와, 발광부(7) 상에 형성된 전류 확산층(8)과, 전류 확산층(8)에 접합된 기능성 기판(3)을 구비한 것을 특징으로 한다.
Have the enemy other than light-emitting wavelength of 700nm or more, it is superior with monochromatic, high-power? Highly efficient and provides a light emitting diode having excellent moisture resistance. A light emitting diode according to the present invention has a lamination structure of the well layer 12 and barrier layer 13 made by the composition formula (Al
X Ga
1-X) As (0≤X≤1) emitting infrared light including an active layer for emitting characterized by having a portion (7), the functional substrate (3) bonded to the light emitting portion 7 and the current diffusion layer 8 formed on the current diffusion layer (8).
公开/授权文献:
- KR101337102B1 발광 다이오드, 발광 다이오드 램프 및 조명 장치 公开/授权日：2013-12-05