基本信息:
- 专利标题： Semiconductor device
- 专利标题（中）：半导体器件
- 申请号：KR20100093923 申请日：2010-09-28
- 公开(公告)号：KR20120032329A 公开(公告)日：2012-04-05
- 发明人： TAK YOUNG JO , LEE JAE WON , PARK YOUNG SOO , KIM JUN YOUN
- 申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD , SAMSUNG LED CO LTD
- 专利权人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD,SAMSUNG LED CO LTD
- 当前专利权人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD,SAMSUNG LED CO LTD
- 优先权： KR20100093923 2010-09-28
- 主分类号： H01L33/12
- IPC分类号： H01L33/12
摘要：
PURPOSE: A semiconductor device is provided to increase stress compensation effects due to an intermediate layer by effectively reducing penetration potential through a masking layer, thereby reducing tensile stress and defect density. CONSTITUTION: A first nitride semiconductor layer(12) is arranged on a substrate. A masking layer(13) is arranged on the first nitride semiconductor layer. A second nitride semiconductor layer(14) is arranged on the masking layer. An intermediate layer(15) is arranged on the second nitride semiconductor layer. A third nitride semiconductor layer(16) is arranged on the intermediate layer.
摘要（中）：
目的：提供一种半导体器件，通过有效地减少通过掩模层的穿透电位来增加由于中间层引起的应力补偿效应，从而降低拉伸应力和缺陷密度。 构成：第一氮化物半导体层（12）被布置在衬底上。 掩模层（13）设置在第一氮化物半导体层上。 第二氮化物半导体层（14）布置在掩模层上。 中间层（15）布置在第二氮化物半导体层上。 第三氮化物半导体层（16）布置在中间层上。