基本信息:
- 专利标题： 탄화규소 및 탄화붕소 및/또는 붕소 단독 형태로 탄소와 규소와 붕소를 포함하는 분말을 제조하는 방법
- 专利标题（英）：Method for preparing a powder comprising carbon, silicon and boron, the silicon being in silicon carbide form and the boron being in boron carbide form and/or boron alone
- 专利标题（中）：用于制备包含碳，硅和硼的粉末的方法，碳化硅形式的硅和硼的形式和/或BORON中的硼
- 申请号：KR1020117024370 申请日：2010-04-29
- 公开(公告)号：KR1020120024545A 公开(公告)日：2012-03-14
- 发明人： 마스크로트,이셤 , 기자흐,베노와 , 테네갈,프랑스아
- 申请人： 꼼미사리아 아 레네르지 아토미끄 에뜨 옥스 에너지스 앨터네이티브즈
- 申请人地址： **, rue Leblanc Batiment Le Ponant D F-***** Paris, France
- 专利权人： 꼼미사리아 아 레네르지 아토미끄 에뜨 옥스 에너지스 앨터네이티브즈
- 当前专利权人： 꼼미사리아 아 레네르지 아토미끄 에뜨 옥스 에너지스 앨터네이티브즈
- 当前专利权人地址： **, rue Leblanc Batiment Le Ponant D F-***** Paris, France
- 代理人： 리앤목특허법인
- 优先权： FR09 52842 2009-04-29
- 国际申请： PCT/EP2010/055829 2010-04-29
- 国际公布： WO2010125149 2010-11-04
- 主分类号： C01B31/36
- IPC分类号： C01B31/36 ; C04B35/563 ; C04B35/565 ; C04B35/626 ; B01J19/12 ; B82Y30/00
摘要：
본 발명은 탄소, 규소 및 붕소를 포함하는 분말을 제조하는 방법에 관련되고, 상기 규소는 탄화규소 형태이고 상기 붕소는 탄화붕소 형태 및/또는 자유 붕소 형태이고, 상기 방법은 다음 단계를 포함한다:
- 탄소계 전구체, 규소계 전구체 및 붕소계 전구체(BX
3 , 여기서 X는 할로겐 원자)를 접촉시켜 이들 세 가지 전구체의 혼합물을 얻는 단계;
- 결과 혼합물을 레이저 열분해 받게 하는 단계,
상기 붕소계 전구체(BX
3 )는 상기 접촉 단계 전에 및/또는 상기 접촉 단계와 동시에 상기 전구체의 응결온도보다 높은 온도로 가열됨.
摘要（英）：
- 탄소계 전구체, 규소계 전구체 및 붕소계 전구체(BX
3 , 여기서 X는 할로겐 원자)를 접촉시켜 이들 세 가지 전구체의 혼합물을 얻는 단계;
- 결과 혼합물을 레이저 열분해 받게 하는 단계,
상기 붕소계 전구체(BX
3 )는 상기 접촉 단계 전에 및/또는 상기 접촉 단계와 동시에 상기 전구체의 응결온도보다 높은 온도로 가열됨.
The present invention relates to a process for preparing a powder comprising carbon, silicon and boron, said silicon and silicon carbide form and said boron is boron carbide form and / or free-boron type, the method comprising the steps of:
- to afford a mixture of the carbon-based precursor, a silicon precursor and a boron-based precursor (BX
3, wherein X is halogen atom) into contact with these three precursor;
Comprising: - a laser pyrolysis receive the resulting mixture,
The boron-based precursor search (BX
3) is heated prior to the contacting step and / or simultaneously with the contacting step to a temperature above the condensation temperature of the precursor.
公开/授权文献:
- KR101841558B1 탄화규소 및 탄화붕소 및/또는 붕소 단독 형태로 탄소와 규소와 붕소를 포함하는 분말을 제조하는 방법 公开/授权日：2018-03-23