基本信息:
- 专利标题： ＣＭＯＳ 반도체소자를 이용한 전자장비의 방사선 열화 특성 진단장치
- 专利标题（英）：Diagnostic device of a electronic equipment from radiation induced degradation using the cmos semiconductor devices
- 专利标题（中）：使用CMOS半导体器件的电子设备的辐射诱导降解的诊断装置
- 申请号：KR1020100069070 申请日：2010-07-16
- 公开(公告)号：KR1020120008294A 公开(公告)日：2012-01-30
- 发明人： 이남호 , 오승찬 , 이현진
- 申请人： 한국원자력연구원
- 申请人地址： 대전광역시 유성구 대덕대로***번길 ***(덕진동)
- 专利权人： 한국원자력연구원
- 当前专利权人： 한국원자력연구원
- 当前专利权人地址： 대전광역시 유성구 대덕대로***번길 ***(덕진동)
- 代理人： 특허법인 웰
- 主分类号： G01R31/02
- IPC分类号： G01R31/02 ; G01R19/257
摘要：
PURPOSE: A device for diagnosing degradation of electronic equipment due to radiation is provided to accurately diagnose degradation by measuring electric degradation due to accumulation dose of an electronic device. CONSTITUTION: An electrical parameter of a CMOS semiconductor device(1) is degraded due to radiation exposure. A voltage detector(2) converts the output voltage and the consumed current of the CMOS semiconductor device into a digital signal. A main controller(3) compares a signal outputted from the voltage detector with a reference value and outputs the change of features due to degradation by the radiation exposure of the CMOS semiconductor device.
摘要（中）：
目的：提供一种用于诊断由于辐射引起的电子设备劣化的装置，以通过测量由电子装置的累积剂量引起的电气劣化来精确地诊断劣化。 构成：CMOS半导体器件（1）的电参数由于辐射暴露而劣化。 电压检测器（2）将CMOS半导体器件的输出电压和消耗电流转换为数字信号。 主控制器（3）将从电压检测器输出的信号与参考值进行比较，并且输出由CMOS半导体器件的辐射曝光引起的劣化引起的特征变化。
公开/授权文献:
- KR101160661B1 ＣＭＯＳ 반도체소자를 이용한 전자장비의 방사선 열화 특성 진단장치 公开/授权日：2012-06-28
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G01 | 测量；测试 |
| ----G01R | 测量电变量；测量磁变量（通过转换成电变量对任何种类的物理变量进行测量参见G01类名下的 |
| ------G01R31/00 | 电性能的测试装置；电故障的探测装置；以所进行的测试在其他位置未提供为特征的电测试装置 |
| --------G01R31/02 | .对电设备、线路或元件进行短路、断路、泄漏或不正确连接的测试 |