发明公开
KR20120004789A Method for formation of ldd of thin film transistor, method for fabrication of thin film transistor and organic light emitting device using the same
有权
基本信息:
- 专利标题： Method for formation of ldd of thin film transistor, method for fabrication of thin film transistor and organic light emitting device using the same
- 专利标题（中）：形成薄膜晶体管的LDD的方法，薄膜晶体管的制造方法和使用其的有机发光器件
- 申请号：KR20100065464 申请日：2010-07-07
- 公开(公告)号：KR20120004789A 公开(公告)日：2012-01-13
- 发明人： KIM YOUNG IL
- 申请人： SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO LTD
- 专利权人： SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO LTD
- 当前专利权人： SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO LTD
- 优先权： KR20100065464 2010-07-07
- 主分类号： H01L29/786
- IPC分类号： H01L29/786 ; G02F1/136 ; H01L51/50
摘要：
PURPOSE: A method for formation of LDD of thin film transistor, a method for fabrication of a thin film transistor and an organic light emitting device using the same are provided to symmetrically form the LDD of a bottom-gate type thin film transistor by forming a lightly doped drain for LDD. CONSTITUTION: A gate electrode(21) is formed on the front side of a substrate(11). The gate insulating layer(22) is formed on the gate electrode and substrate. An active layer(23) is formed on the gate insulating layer. The low density ion is inserted into the active layer from the back side of the substrate. The lightly doped drain and heavily doped impurity region are formed within the active layer.
摘要（中）：
目的：提供用于形成薄膜晶体管的LDD的方法，制造薄膜晶体管的方法和使用其的有机发光器件，以通过形成底栅型薄膜晶体管的对称地形成底栅型薄膜晶体管的LDD 用于LDD的轻掺杂漏极。 构成：在基板（11）的前侧形成栅电极（21）。 栅极绝缘层（22）形成在栅电极和衬底上。 在栅极绝缘层上形成有源层（23）。 低密度离子从衬底的背面插入有源层。 在有源层内形成轻掺杂漏极和重掺杂杂质区。
公开/授权文献:
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |
| ------------------H01L29/786 | ......薄膜晶体管 |