基本信息:
- 专利标题： ＭＯＳＦＥＴ 및 ＭＯＳＦＥＴ의 제조 방법
- 专利标题（英）：Mosfet and method for manufacturing mosfet
- 申请号：KR1020117004212 申请日：2010-03-23
- 公开(公告)号：KR1020110133541A 公开(公告)日：2011-12-13
- 发明人： 와다게이지 , 하라다신 , 마스다다케요시 , 호나가미사코
- 申请人： 스미토모덴키고교가부시키가이샤
- 申请人地址： 일본 오사카후 오사카시 쥬오쿠 기타하마 *쵸메 *반**고
- 专利权人： 스미토모덴키고교가부시키가이샤
- 当前专利权人： 스미토모덴키고교가부시키가이샤
- 当前专利权人地址： 일본 오사카후 오사카시 쥬오쿠 기타하마 *쵸메 *반**고
- 代理人： 김태홍
- 优先权： JPJP-P-2009-079408 2009-03-27
- 国际申请： PCT/JP2010/054952 2010-03-23
- 国际公布： WO2010110252 2010-09-30
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L21/336 ; H01L29/12
摘要：
MOSFET(1)는, {0001}면에 대하여 오프각이 50°이상 65°이하인 주면을 갖는 탄화규소(SiC) 기판(2)과, SiC 기판(2)의 주면 위에 형성된 반도체층(21)과, 반도체층(21)의 표면에 접촉하도록 형성된 절연막(26)을 구비하고 있다. 부임계 기울기(subthreshold slope)는 0.4 V/Decade 이하이다.
摘要（英）：
MOSFET (1) is the {0001} off with respect to the surface of each semiconductor layer 21 formed on the main surface of the silicon carbide (SiC) substrate 2 and, SiC substrate 2 having a main surface less than 50 ° 65 ° and , and it includes an insulating film 26 formed so as to be in contact with the surface of the semiconductor layer 21. The threshold portion slopes (subthreshold slope) is 0.4 V / Decade below.
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |