基本信息:
- 专利标题: 임피던스 매칭 네트워크에 의한 물리 기상 증착법
- 专利标题(英):Physical vapor depositiion with impedance matching network
- 专利标题(中):物理蒸气沉积与阻抗匹配网络
- 申请号:KR1020117021524 申请日:2010-02-18
- 公开(公告)号:KR1020110120323A 公开(公告)日:2011-11-03
- 发明人: 리유밍 , 버크메이어제프리 , 후지이타카미치 , 나오노타카유키 , 히시누마요시카즈
- 申请人: 후지필름 가부시키가이샤
- 申请人地址: *-**-**, Nishi Azabu, Minato-ku, Tokyo, Japan
- 专利权人: 후지필름 가부시키가이샤
- 当前专利权人: 후지필름 가부시키가이샤
- 当前专利权人地址: *-**-**, Nishi Azabu, Minato-ku, Tokyo, Japan
- 代理人: 하영욱
- 优先权: US12/389,253 2009-02-19
- 国际申请: PCT/US2010/024549 2010-02-18
- 国际公布: WO2010096533 2010-08-26
- 主分类号: C23C14/00
- IPC分类号: C23C14/00 ; C23C14/34
摘要:
물리 기상 증착법은 물리 기상 증착 장치 내에 있고 스퍼터링 타겟을 포함하는 캐소드에 무선 주파수 신호를 인가하는 스텝; 상기 물리 기상 증착 장치 내에 있고 기판을 지지하는 척을 하나 이상의 커패시터를 포함하는 임피던스 매칭 네트워크에 전기적으로 접속하는 스텝; 및 상기 스퍼터링 타겟으로부터의 물질을 상기 기판 상에 증착하는 스텝을 포함한다.
摘要(英):
Physical vapor deposition method is a step for applying a radio frequency signal to the cathode and including a sputtering target in a physical vapor deposition apparatus; A step for electrically connecting to the chuck and support the substrate in the physical vapor deposition device to the impedance matching network including at least one capacitor; And a step of depositing on the substrate the material from the sputtering target.
公开/授权文献:
- KR101371003B1 임피던스 매칭 네트워크에 의한 물리 기상 증착법 公开/授权日:2014-03-10