基本信息:
- 专利标题： 자기 메모리 소자
- 专利标题（英）：Magnetic memory device
- 专利标题（中）：磁记忆装置
- 申请号：KR1020100037017 申请日：2010-04-21
- 公开(公告)号：KR1020110117515A 公开(公告)日：2011-10-27
- 发明人： 이장은 , 오세충 , 이제형 , 김우진 , 정준호 , 임우창
- 申请人： 삼성전자주식회사
- 申请人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 专利权人： 삼성전자주식회사
- 当前专利权人： 삼성전자주식회사
- 当前专利权人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 代理人： 특허법인 고려
- 主分类号： G11C11/15
- IPC分类号： G11C11/15 ; H01L27/115
摘要：
자기 메모리 소자가 제공된다. 자기 메모리 소자는 기판 상의 제1 수직 자성막 및 제2 수직 자성막, 제1 수직 자성막 및 제2 수직 자성막 사이의 터널 베리어막, 및 제1 수직 자성막의 제1 서브막 및 제1 수직 자성막의 제2 서브막 사이의 교환 결합막을 포함한다.
摘要（英）：
The magnetic memory element. A magnetic memory element has a first perpendicular magnetic film and the second vertical magnetic film, the first vertical magnetic film and the second first sub-layer and a first perpendicular of the tunnel barrier film, and the first vertical magnetic film between the vertical magnetic film on the substrate It includes a second sub-film magnetic exchange coupling between the film.
公开/授权文献:
- KR101766899B1 자기 메모리 소자 公开/授权日：2017-08-10
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| G11C11/56 | 组优先于G11C11/02至G11C11/54中各组。 |
| --G11C11/02 | .应用磁性元件的 |
| ----G11C11/14 | ..应用薄膜元件的 |
| ------G11C11/15 | ...应用多层磁性层的 |