基本信息:
- 专利标题： 광가교 폴리이미드 고분자 및 이의 제조 방법과 이를 이용한 메모리 소자
- 专利标题（英）：Photo crosslinkable polyimide polymer and manufacturing methods, and memory devices using thereof
- 专利标题（中）：照片可交换聚酰亚胺聚合物和制造方法及其使用的存储器件
- 申请号：KR1020100031604 申请日：2010-04-07
- 公开(公告)号：KR1020110112487A 公开(公告)日：2011-10-13
- 发明人： 이문호 , 박삼대 , 함석규 , 김진철 , 고용기 , 최준만 , 이택준 , 김동민 , 김경태 , 권원상
- 申请人： 포항공과대학교 산학협력단
- 申请人地址： 경상북도 포항시 남구 청암로 ** (지곡동)
- 专利权人： 포항공과대학교 산학협력단
- 当前专利权人： 포항공과대학교 산학협력단
- 当前专利权人地址： 경상북도 포항시 남구 청암로 ** (지곡동)
- 代理人： 박상훈
- 主分类号： C08G73/10
- IPC分类号： C08G73/10 ; C08L79/08 ; H01L27/115
摘要：
본 발명은 고분자 메모리 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 고분자 메모리 소자에 사용될 수 있는 새로운 광가교성 고분자 화합물과 광가교 폴리이미드 고분자를 상부 전극과 하부 전극사이에서 활성층에 포함하는 새로운 비휘발성 메모리 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 고분자 메모리 소자는 하기 화학식으로 표현되는 광가교 폴리이미드 고분자를 활성층으로 사용한다.
(I)
摘要（英）：
본 발명에 따른 고분자 메모리 소자는 하기 화학식으로 표현되는 광가교 폴리이미드 고분자를 활성층으로 사용한다.
(I)
The present invention is a polymer memory device and relates to their preparation, polymer memory, optical and new gwangga-crosslinkable polymer compound that can be used in the device cross-linked polyimide polymer a new non-volatile memory including the active layer between the upper electrode and the lower electrode elements, and It relates to its production method.
Polymer memory device according to the present invention uses a photo-crosslinkable polyimide polymer which is represented by the following general formula as an active layer.
(I)
公开/授权文献:
- KR101180063B1 광가교 폴리이미드 고분자 및 이의 제조 방법과 이를 이용한 메모리 소자 公开/授权日：2012-09-05