基本信息:
- 专利标题： 복합 산화물 소결체 및 그것으로 이루어지는 스퍼터링 타겟
- 专利标题（英）：Sintered complex oxide and sputtering target comprising same
- 专利标题（中）：烧结复合氧化物和包含相同的溅射靶
- 申请号：KR1020117013690 申请日：2009-12-03
- 公开(公告)号：KR1020110104495A 公开(公告)日：2011-09-22
- 发明人： 야노고키 , 가와시마히로카즈
- 申请人： 이데미쓰 고산 가부시키가이샤
- 申请人地址： 일본 도쿄도 지요다쿠 마루노우치 *쵸메 *반 *고
- 专利权人： 이데미쓰 고산 가부시키가이샤
- 当前专利权人： 이데미쓰 고산 가부시키가이샤
- 当前专利权人地址： 일본 도쿄도 지요다쿠 마루노우치 *쵸메 *반 *고
- 代理人： 제일특허법인
- 优先权： JPJP-P-2008-318294 2008-12-15
- 国际申请： PCT/JP2009/006596 2009-12-03
- 国际公布： WO2010070832 2010-06-24
- 主分类号： H01L29/786
- IPC分类号： H01L29/786 ; H01L29/22 ; H01L29/24 ; H01L21/02
摘要：
상동 결정 구조의 In
2 Ga
2 ZnO
7 을 포함하고, 소결체 밀도가 상대 밀도로 90% 이상이며, 평균 결정 입경이 10μm 이하인 복합 산화물 소결체.
摘要（英）：
2 Ga
2 ZnO
7 을 포함하고, 소결체 밀도가 상대 밀도로 90% 이상이며, 평균 결정 입경이 10μm 이하인 복합 산화물 소결체.
And contains
In 2 Ga 2 ZnO 7 crystal structure of the homologous and the sintered density of 90% or more in relative density, the composite oxide sintered body mean grain size not more than 10μm.
公开/授权文献:
- KR101658256B1 복합 산화물 소결체 및 그것으로 이루어지는 스퍼터링 타겟 公开/授权日：2016-09-20
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |
| ------------------H01L29/786 | ......薄膜晶体管 |