基本信息:
- 专利标题： 비휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법
- 专利标题（英）：Method of programming memory cells for a non-volatile memory device
- 专利标题（中）：编写非易失性存储器件的存储器单元的方法
- 申请号：KR1020100011624 申请日：2010-02-08
- 公开(公告)号：KR1020110092136A 公开(公告)日：2011-08-17
- 发明人： 황상원 , 김찬호
- 申请人： 삼성전자주식회사
- 申请人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 专利权人： 삼성전자주식회사
- 当前专利权人： 삼성전자주식회사
- 当前专利权人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 代理人： 박영우
- 主分类号： G11C16/34
- IPC分类号： G11C16/34 ; G11C16/10 ; G11C16/12 ; G11C16/32
摘要：
PURPOSE: A programming method of a non-volatile memory device is provided to reduce the increment of a program voltage adaptively by reflecting the program state of memory cells. CONSTITUTION: In a programming method of a non-volatile memory device, an increment step pulse program is operated based on a program voltage and first and second verification voltage(S120). The increment of the program voltage is changed according to the result of a first pass-fail of the memory cells(S140). The increment step pulse program is finished according to the result of a second pass-fail of the memory cells(S160).
摘要（中）：
目的：提供一种非易失性存储器件的编程方法，通过反映存储器单元的程序状态来自适应地减小编程电压的增量。 构成：在非易失性存储器件的编程方法中，根据编程电压和第一和第二验证电压来操作增量步进脉冲程序（S120）。 程序电压的增量根据存储单元的第一次通过失败的结果而改变（S140）。 根据存储单元的第二通过失败的结果，完成增量步长脉冲程序（S160）。
公开/授权文献:
- KR101662309B1 비휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법 公开/授权日：2016-10-04
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G11 | 信息存储 |
| ----G11C | 静态存储器 |
| ------G11C16/00 | 可擦除可编程序只读存储器 |
| --------G11C16/02 | .电可编程序的 |
| ----------G11C16/06 | ..辅助电路，例如，用于写入存储器的 |
| ------------G11C16/34 | ...编程状态的确定，例如，阈值电压、过编程或欠编程、保留 |