基本信息:
- 专利标题： 전계 효과형 트랜지스터의 제조방법, 표시장치의 제조방법, Ｘ선 촬상장치의 제조방법 및 광센서의 제조방법
- 专利标题（英）：Process of producing field effect transistor, process of producing display device, process of producing x-ray imaging device and process of producing optical sensor
- 专利标题（中）：制造场效应晶体管的工序，制造显示装置的工序，制造X射线成像装置的工序及制造光传感器的工序
- 申请号：KR1020100111965 申请日：2010-11-11
- 公开(公告)号：KR1020110083474A 公开(公告)日：2011-07-20
- 发明人： 하마타케시 , 타나카아츠시 , 스즈키마사유키
- 申请人： 후지필름 가부시키가이샤
- 申请人地址： *-**-**, Nishi Azabu, Minato-ku, Tokyo, Japan
- 专利权人： 후지필름 가부시키가이샤
- 当前专利权人： 후지필름 가부시키가이샤
- 当前专利权人地址： *-**-**, Nishi Azabu, Minato-ku, Tokyo, Japan
- 代理人： 하영욱
- 优先权： JPJP-P-2010-006043 2010-01-14
- 主分类号： H01L29/786
- IPC分类号： H01L29/786
摘要：
PURPOSE: A method for manufacturing a field effect transistor, a method for manufacturing a display device, a method for manufacturing an x ray photographing device, and a method for manufacturing an optical sensor are provided to perform a heating process at a temperature lower than 240°C, thereby reducing the power consumption of a heating furnace. CONSTITUTION: An active layer(18) is made of an amorphous oxide semiconductor. The active layer includes In, Ga, and Zn. The active layer is heated at a temperature lower than 240°C when the composition ratio of elements is In:Ga:Zn=a:b:c.
摘要（中）：
目的：提供一种用于制造场效应晶体管的方法，显示装置的制造方法，制造X射线摄影装置的方法以及制造光学传感器的方法，以在低于240℃的温度下进行加热处理 ℃，从而降低加热炉的功率消耗。 构成：活性层（18）由无定形氧化物半导体制成。 活性层包括In，Ga和Zn。 当元素的组成比为In：Ga：Zn = a：b：c时，活性层在低于240℃的温度下被加热。
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |
| ------------------H01L29/786 | ......薄膜晶体管 |