基本信息:
- 专利标题： 반도체 메모리의 동작 타이밍 제어 장치 및 그 방법
- 专利标题（英）：Apparatus and method for controlling the operation timing of semiconductor memory
- 专利标题（中）：用于控制半导体存储器的操作时序的装置和方法
- 申请号：KR1020090117422 申请日：2009-11-30
- 公开(公告)号：KR1020110060740A 公开(公告)日：2011-06-08
- 发明人： 윤현수 , 이종천
- 申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
- 申请人地址： 경기도 이천시 부발읍 경충대로 ****
- 专利权人： 에스케이하이닉스 주식회사
- 当前专利权人： 에스케이하이닉스 주식회사
- 当前专利权人地址： 경기도 이천시 부발읍 경충대로 ****
- 代理人： 특허법인신성
- 主分类号： G11C11/4076
- IPC分类号： G11C11/4076 ; G11C11/407
摘要：
PURPOSE: An apparatus and a method for controlling the operation timing of semiconductor memory are provided to control the termination operation timing of a corresponding command using control information for a shift resistor. CONSTITUTION: A control information generating unit generates control information. The control information is based on data path delay information and latency information. A register shifts corresponding command according to the control information. A DLL delay unit(140) delays a shifted command through a delay locked loop. A control information generating unit comprises a data route delay part(110) and a latency processing unit(120). The data route delay part calculates data path delay information. The latency processing unit offers the latency information.
摘要（中）：
目的：提供用于控制半导体存储器的操作定时的装置和方法，以使用用于移位电阻器的控制信息来控制对应命令的终止操作定时。 构成：控制信息生成部生成控制信息。 控制信息基于数据路径延迟信息和延迟信息。 寄存器根据控制信息移动相应的命令。 DLL延迟单元（140）通过延迟锁定环延迟移位的命令。 控制信息生成单元包括数据路径延迟部（110）和等待时间处理部（120）。 数据路径延迟部分计算数据路径延迟信息。 延迟处理单元提供延迟信息。
公开/授权文献:
- KR101110819B1 반도체 메모리의 동작 타이밍 제어 장치 및 그 방법 公开/授权日：2012-03-13
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| G11C11/56 | 组优先于G11C11/02至G11C11/54中各组。 |
| --G11C11/19 | .在谐振电路中应用非线性电抗器件的 |
| ----G11C11/26 | ..应用放电管的 |
| ------G11C11/40 | ...应用晶体管的 |
| --------G11C11/401 | ....形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的 |
| ----------G11C11/4063 | .....辅助电路，例如，用于寻址、译码、驱动、写、读出或定时的 |
| ------------G11C11/407 | ......用于场效应型存储单元的 |
| --------------G11C11/4076 | .......定时电路 |