基本信息:
- 专利标题： 절연막 재료, 이 절연막 재료를 이용한 성막 방법 및 절연막
- 专利标题（英）：Insulating film material, method for forming film by using the insulating film material, and insulating film
- 专利标题（中）：绝缘膜材料，使用绝缘膜材料形成薄膜的方法和绝缘膜
- 申请号：KR1020117005949 申请日：2009-09-01
- 公开(公告)号：KR1020110055643A 公开(公告)日：2011-05-25
- 发明人： 오노다카히사 , 타지마노부오 , 이나이시요시아키 , 신리키마나부 , 미야자와카즈히로
- 申请人： 코쿠리츠켄큐카이하츠호징 붓시쯔 자이료 켄큐키코 , 타이요 닛폰 산소 가부시키가이샤
- 申请人地址： 일본 이바라키켄 츠쿠바시 센겐 *-*-*
- 专利权人： 코쿠리츠켄큐카이하츠호징 붓시쯔 자이료 켄큐키코,타이요 닛폰 산소 가부시키가이샤
- 当前专利权人： 코쿠리츠켄큐카이하츠호징 붓시쯔 자이료 켄큐키코,타이요 닛폰 산소 가부시키가이샤
- 当前专利权人地址： 일본 이바라키켄 츠쿠바시 센겐 *-*-*
- 代理人： 박상수
- 优先权： JPJP-P-2008-223907 2008-09-01
- 国际申请： PCT/JP2009/004298 2009-09-01
- 国际公布： WO2010023964 2010-03-04
- 主分类号： H01L21/312
- IPC分类号： H01L21/312 ; C23C16/42
摘要：
하기의 화학식1에 나타나는 플라즈마 CVD용 절연막 재료, 이 절연막 재료를 이용한 성막 방법 및 절연막.
[화학식 1]
화학식1에 있어서, m 및 n은 3∼6의 정수이고, m과 n은 1분자 중에서 동일하여도 서로 상위하여도 좋다.
摘要（英）：
[화학식 1]
화학식1에 있어서, m 및 n은 3∼6의 정수이고, m과 n은 1분자 중에서 동일하여도 서로 상위하여도 좋다.
Formula for a plasma CVD insulating film material that appears in the first, the film forming method using the insulating film material and the insulating film to.
[Formula 1]
In the formula 1, m and n is an integer of 3~6, n and m are even higher may be the same from each other in one molecule.
公开/授权文献:
- KR101635120B1 절연막 재료, 이 절연막 재료를 이용한 성막 방법 및 절연막 公开/授权日：2016-06-30
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/312 | ......有机层，例如光刻胶 |