基本信息:
- 专利标题： 접착 접합 계면을 안정화시키기 위한 이온 주입 단계를 포함하는 구조의 제조 방법
- 专利标题（英）：Method for making a structure comprising a step for implanting ions in order to stabilize the adhesive bonding interface
- 专利标题（中）：用于制造结构的方法，包括用于将离子注入的步骤，以稳定粘合的接合界面
- 申请号：KR1020117000073 申请日：2009-07-03
- 公开(公告)号：KR1020110055508A 公开(公告)日：2011-05-25
- 发明人： 부르델르콘스탄틴 , 랑드뤼디디에 , 랑드리카린느
- 申请人： 소이텍
- 申请人地址： PARC TECHNOLOGIQUE DES FONTAINES, CHEMIN DES FRANQUES, ***** BERNIN, FRANCE
- 专利权人： 소이텍
- 当前专利权人： 소이텍
- 当前专利权人地址： PARC TECHNOLOGIQUE DES FONTAINES, CHEMIN DES FRANQUES, ***** BERNIN, FRANCE
- 代理人： 리앤목특허법인
- 优先权： FR0855447 2008-08-06
- 国际申请： PCT/EP2009/058434 2009-07-03
- 国际公布： WO2010015467 2010-02-11
- 主分类号： H01L21/265
- IPC分类号： H01L21/265 ; H01L21/324 ; H01L21/20
摘要：
본 발명은 특히 전자 공학, 광학, 또는 광전자공학 분야에서의 응용을 위하여 지지 기판(3) 위에 반도체 물질의 박막(1)을 포함하는 구조의 제조를 위한 방법에 관련된 것으로서, 본 발명에 의하면: a) 상기 박막(1)이 분자 접착에 의해 상기 지지 기판(3) 위에 접착 접합되고; b) 상기 a)에 의하여 얻어진 상기 구조가 접착 접합 계면(2)의 안정화를 위하여 열처리되고, b) 단계 이전에 상기 계면(2)에서의 이온 주입에 의하여 원자들이 상기 박막(1)으로부터 상기 지지 기판(3)으로 및/또는 상기 지지 기판(3)으로부터 상기 박막(1)으로 전달되는 것을 특징으로 한다.
摘要（英）：
The present invention is related to the particular electronics, the method for the production of a structure comprising a thin film (1) of semiconductor material on a supporting substrate (3) for applications in optics, or optoelectronics fields, in accordance with the present invention: a ) the thin film (1) is adhesive bonded onto the supporting substrate (3) by molecular adhesion; b) wherein a) the structure is heat-treated in order to stabilize the adhesive bonding interface (2), b) by ion implantation at the surface (2) prior to the step atom to support said from said thin film (1) obtained by the from the substrate (3) and / or the supporting substrate (3) being transferred to the thin film (1).
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/263 | .....带有高能辐射的 |
| ------------------H01L21/265 | ......产生离子注入的 |