基本信息:
- 专利标题： 스루-실리콘 비어들을 위한 관통 구조물들을 포함하는 적층 다이용 상호접속 구조물
- 专利标题（英）：Interconnect structures for stacked dies, including penetrating structures for through-silicon vias
- 专利标题（中）：堆叠式切割机的互连结构，包括硅橡胶渗透结构
- 申请号：KR1020117008164 申请日：2009-08-19
- 公开(公告)号：KR1020110053276A 公开(公告)日：2011-05-19
- 发明人： 페이,오웬,알. , 판워스,워렌,엠. , 헴브리,데이비드,알.
- 申请人： 마이크론 테크놀로지, 인크
- 申请人地址： **** South Federal Way, Boise, ID, U.S.A.
- 专利权人： 마이크론 테크놀로지, 인크
- 当前专利权人： 마이크론 테크놀로지, 인크
- 当前专利权人地址： **** South Federal Way, Boise, ID, U.S.A.
- 代理人： 한양특허법인
- 优先权： US12/209,029 2008-09-11
- 国际申请： PCT/US2009/054313 2009-08-19
- 国际公布： WO2010030474 2010-03-18
- 主分类号： H01L23/48
- IPC分类号： H01L23/48 ; H01L21/60
摘要：
스루-실리콘 비어들을 위한 관통 구조물들을 포함하는 적층 다이용 상호접속 구조물들, 관련 시스템 및 방법들이 설명되어 있다. 특별한 실시예에 따른 시스템은 제1 기판 재료를 갖는 제1 반도체 기판과, 상기 제1 반도체 기판에 의해 지지된 관통 구조물을 포함한다. 또한 시스템은 프리폼형 리세스를 갖는 제2 기판 재료를 구비하는 제2 반도체 기판을 포함한다. 제1 반도체 기판의 관통 구조물은 제2 반도체 기판의 리세스내에 수용되어, 상기 리세스와 기계적으로 결합되며, 제2 반도체 기판에 고정된다.
摘要（英）：
Through-the laminate comprising a through-silicon via structures for use interconnect structures, systems and methods are described. System in accordance with a particular embodiment includes a first semiconductor substrate, the through-structure supported by the first semiconductor substrate having a first substrate material. The system also includes a second semiconductor substrate having a second substrate material having a preform shaped recess. The first through the structure of the semiconductor substrate is received in the recess of the second semiconductor substrate, and is coupled to the recess and mechanically, the second is fixed to the semiconductor substrate.
公开/授权文献:
- KR101260219B1 스루-실리콘 비어들을 위한 관통 구조물들을 포함하는 적층 다이용 상호접속 구조물 公开/授权日：2013-05-06
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/48 | .用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线、接线端装置 |