基本信息:
- 专利标题： 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기판 액처리 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체
- 专利标题（英）：Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and storage medium having substrate liquid processing program stored therein
- 专利标题（中）：基板液体处理装置，底板液体处理方法以及具有基板液化处理程序的存储介质
- 申请号：KR1020100096443 申请日：2010-10-04
- 公开(公告)号：KR1020110041996A 公开(公告)日：2011-04-22
- 发明人： 다나카히로시 , 미나미데루오미 , 가와부치요스케 , 이토노리히로 , 가미무라후미히로 , 야부타다카시 , 가즈키고사이 , 다카시우노 , 세키구치겐지 , 후지이야스시
- 申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
- 申请人地址： *-* Akasaka *-chome, Minato-ku, Tokyo, Japan
- 专利权人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
- 当前专利权人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
- 当前专利权人地址： *-* Akasaka *-chome, Minato-ku, Tokyo, Japan
- 代理人： 김태홍
- 优先权： JPJP-P-2009-239452 2009-10-16; JPJP-P-2010-180668 2010-08-12
- 主分类号： H01L21/302
- IPC分类号： H01L21/302
摘要：
PURPOSE: A substrate liquid processing apparatus, a substrate liquid processing method, and a storage medium having substrate liquid processing program stored therein are provided to prevent the electrostatic destruction by discharging the electric charges charged on a substrate through a chuck for maintaining the substrate. CONSTITUTION: A first processing liquid discharge unit discharges the processing liquid to the circuit-forming surface of a substrate(2). A second processing solution discharge unit(25) discharges the processing liquid to the opposite side of the circuit-forming surface of the substrate. A control unit(26) controls the substrate maintaining unit and the first and the second processing solution discharge unit.
摘要（中）：
目的：提供基板液体处理装置，基板液体处理方法和存储有基板液体处理程序的存储介质，以通过用于维持基板的卡盘将填充在基板上的电荷放电来防止静电破坏。 构成：第一处理液体排出单元将处理液体排出到基板（2）的电路形成表面。 第二处理液排出单元（25）将处理液体排出到基板的电路形成表面的相对侧。 控制单元（26）控制基板保持单元和第一和第二处理液排出单元。
公开/授权文献:
- KR101633129B1 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기판 액처리 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 公开/授权日：2016-06-23
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |