基本信息:
- 专利标题： 포토마스크, 포토마스크의 제조 방법, 패턴 전사 방법, 표시 장치용 화소 전극의 제조 방법 및 표시 장치의 제조 방법
- 专利标题（英）：Photomask, producing method for photomask, pattern transfer method and manufacturing method for liquid crystal display device
- 专利标题（中）：光电照相机，用于液晶显示装置的图案转印方法和制造方法
- 申请号：KR1020100093590 申请日：2010-09-28
- 公开(公告)号：KR1020110035925A 公开(公告)日：2011-04-06
- 发明人： 요시다고이찌로
- 申请人： 호야 가부시키가이샤
- 申请人地址： *-**-*, Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo, Japan
- 专利权人： 호야 가부시키가이샤
- 当前专利权人： 호야 가부시키가이샤
- 当前专利权人地址： *-**-*, Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo, Japan
- 代理人： 양영준; 이중희
- 优先权： JPJP-P-2009-224717 2009-09-29
- 主分类号： G03F1/54
- IPC分类号： G03F1/54 ; G03F7/20 ; G03F7/26
摘要：
PURPOSE: A photo-mask, a method for manufacturing the photo-mask, a method for transferring patterns, and a method for manufacturing liquid crystal display device are provided to implement a patterning process with respect to a line-end space pattern with fine pitches. CONSTITUTION: A resist film(104) is formed on a target(103). A photo-mask(100) transfers a pre-set transferring pattern including a line-end space pattern on the resist film. The resist film is formed into a resist pattern(105) functioning as a mask for an etching process. The transferring pattern is formed by a transmitting part(102) and a semi-transmitting part(101) by patterning a semi-transmitting film on a transparent substrate.
摘要（中）：
目的：提供一种光掩模，用于制造光掩模的方法，转印图案的方法以及制造液晶显示装置的方法，以实现相对于具有细间距的线端空间图案的图案化处理 。 构成：在靶（103）上形成抗蚀膜（104）。 光掩模（100）在抗蚀剂膜上传送包括线端空间图案的预设转印图案。 抗蚀剂膜形成为用作蚀刻工艺的掩模的抗蚀剂图案（105）。 通过在透明基板上构图半透膜，由透射部（102）和半透射部（101）形成转印图案。
公开/授权文献:
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G03 | 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术 |
| ----G03F | 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备 |
| ------G03F1/00 | 用于图纹面的照相制版的原版的制备 |
| --------G03F1/54 | .吸收剂，例如不透明材料 |