基本信息:
- 专利标题： 다단형 기판의 제조 방법
- 专利标题（英）：Method for manufacturing multistep substrate
- 专利标题（中）：制造多层基板的方法
- 申请号：KR1020117000840 申请日：2009-06-15
- 公开(公告)号：KR1020110028506A 公开(公告)日：2011-03-18
- 发明人： 다나카아이 , 기라아츠시 , 후와고
- 申请人： 가부시키가이샤 알박
- 申请人地址： 일본 가나가와껭 지가사끼시 하기소노 ****반찌
- 专利权人： 가부시키가이샤 알박
- 当前专利权人： 가부시키가이샤 알박
- 当前专利权人地址： 일본 가나가와껭 지가사끼시 하기소노 ****반찌
- 代理人： 특허법인코리아나
- 优先权： JPJP-P-2008-158538 2008-06-17
- 国际申请： PCT/JP2009/060883 2009-06-15
- 国际公布： WO2009154173 2009-12-23
- 主分类号： H01L21/3065
- IPC分类号： H01L21/3065 ; B81C1/00
摘要：
기판의 주면 상에, 각각이 이종 재료로 이루어지고, 또한 각각의 박리 수단이 상이한 복수의 마스크를 겹쳐 형성하고, 복수의 마스크 각각의 형상을 반영하여, 순차적으로 플라즈마를 사용하는 드라이 에칭을 실시함으로써 단차 가공을 실시하여, 복수의 단차를 갖는 다단형 기판을 얻는다.
摘要（英）：
On the main surface of the substrate, are each composed of different materials, and by carrying out the dry etching to form overlapping each of the plurality of the mask means is different peeling, to reflect the plurality of masks each image, using the plasma in sequence subjected to processing steps to obtain a multi-stage-type substrate having a plurality of steps.
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/306 | ......化学或电处理，例如电解腐蚀 |
| --------------------H01L21/3065 | .......等离子腐蚀；活性离子腐蚀 |