发明公开
KR1020110020292A 산화물 소결체, 산화물 소결체로 이루어지는 스퍼터링 타깃, 산화물 소결체의 제조 방법 및 산화물 소결체 스퍼터링 타깃 게이트의 제조 방법
有权
基本信息:
- 专利标题: 산화물 소결체, 산화물 소결체로 이루어지는 스퍼터링 타깃, 산화물 소결체의 제조 방법 및 산화물 소결체 스퍼터링 타깃 게이트의 제조 방법
- 专利标题(英):Oxide sintered object, sputtering target comprising the sintered object, process for producing the sintered object, and process for producing sputtering target comprising the sintered object
- 专利标题(中):氧化物烧结对象,包含烧结对象的溅射目标,生产烧结对象的工艺,以及生产包含烧结对象的溅射靶的工艺
- 申请号:KR1020117000208 申请日:2009-06-23
- 公开(公告)号:KR1020110020292A 公开(公告)日:2011-03-02
- 发明人: 사토가즈유키 , 고이도요시마사
- 申请人: 제이엑스금속주식회사
- 申请人地址: *-*, Otemachi *-chome, Chiyoda-ku, Tokyo, Japan
- 专利权人: 제이엑스금속주식회사
- 当前专利权人: 제이엑스금속주식회사
- 当前专利权人地址: *-*, Otemachi *-chome, Chiyoda-ku, Tokyo, Japan
- 代理人: 특허법인코리아나
- 优先权: JPJP-P-2008-176461 2008-07-07
- 国际申请: PCT/JP2009/061353 2009-06-23
- 国际公布: WO2010004862 2010-01-14
- 主分类号: C04B35/50
- IPC分类号: C04B35/50 ; C23C14/34 ; C04B35/00 ; C04B35/64
2 (CO
3 )
3 분말과 HfO
2 분말을 사용하고, Hf 와 La 의 조성 몰비가 1 ∼ 1.2 가 되도록 배합하여 혼합한 후, 이 혼합 분말을 대기 중에서 가열 합성하고, 다음으로 이 합성 재료를 분쇄하여 분말로 한 후, 이 합성 분말을 핫 프레스하여 소결체로 하는 것을 특징으로 하는 란탄과 하프늄의 산화물 소결체의 제조 방법. 금속 란탄은 산소와 급속히 결합하여 붕괴되며, 또한 산화 란탄은 수분과 결합하여 수산화물을 형성하여 분말 형상으로 변화되기 때문에 모두 장기간의 보관이 어려워, 스퍼터링 타깃을 제작해도 실제로 사용할 수 없다는 문제가 있었다. 이 점을 감안하여, 란탄 (La) 과 하프늄 (Hf) 의 산화물로 이루어지는 안정적인 La 함유 산화물 소결체를 제공하는 것으로, 특히 High-k 게이트 절연막 형성에 바람직한 La 함유 산화물 스퍼터링 타깃을 제공한다.
A sintered body made of a composite oxide of lanthanum and hafnium, a hafnium oxide contained in the sintered body characterized in that the sintered body contains at least equivalent to the lanthanum. As a raw material powder using the La
2 (CO
3)
3 powder and HfO
2 powder and then a mixture by mixing the composition molar ratio of Hf and La so that from 1 to 1.2, heating the atmosphere synthesize the mixed powder, and this with the following grinding the synthesized material to a powder and then, the synthetic powder to a method of manufacturing a hot press oxide of lanthanum and hafnium characterized in that the sintered body of a sintered body. Lanthanum metal is collapsed by rapidly it combines with oxygen, and lanthanum oxide is difficult, since all the long-term storage of the powder changed in shape by forming a hydroxide in combination with moisture, even if making the sputtering target had a problem that can actually be used. In view of this, to provide a stable La-containing oxide sintered compact composed of oxides of lanthanum (La) and hafnium (Hf), in particular a desirable La-containing oxide sputtering target in the High-k gate insulating film formed.