基本信息:
- 专利标题： 열처리 챔버에서 웨이퍼 지지부의 온도 측정 및 제어 장치 및 방법
- 专利标题（英）：Temperature measurement and control of wafer support in thermal processing chamber
- 专利标题（中）：用于测量和控制热处理室中的晶片支撑件的温度的设备和方法
- 申请号：KR1020107023850 申请日：2009-03-25
- 公开(公告)号：KR1020100129777A 公开(公告)日：2010-12-09
- 发明人： 소라브지,쿠르세드 , 러너,알렉산더,엔. , 라니쉬,조셉,엠. , 헌터,아아론,엠. , 아담스,브루스,이. , 베흐드잣,메흐란 , 라마누잠,라제쉬,에스.
- 申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
- 申请人地址： **** Bowers Avenue, Santa Clara, CA *****, U.S.A.
- 专利权人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
- 当前专利权人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
- 当前专利权人地址： **** Bowers Avenue, Santa Clara, CA *****, U.S.A.
- 代理人： 특허법인 남앤드남
- 优先权： US12/055,045 2008-03-25
- 国际申请： PCT/US2009/038156 2009-03-25
- 国际公布： WO2009120729 2009-10-01
- 主分类号： H01L21/683
- IPC分类号： H01L21/683 ; H01L21/324
摘要：
급속 열처리 동안 기판의 균일한 가열 또는 냉각을 이루기 위한 장치 및 방법에 개시된다. 특히, 기판에 걸쳐 온도 균일성을 향상시키도록 급속 열처리 동안 기판 및/또는 반사기 플레이트를 지지하는 엣지 링의 온도를 제어하기 위한 장치 및 방법이 개시되고, 이는 엣지 링을 가열 또는 냉각하기 위해 엣지 링에 인접한 플레이트 또는 열 매스를 포함한다.
摘要（中）：
公开了一种用于在快速热处理期间实现基板的均匀加热或冷却的装置和方法。 具体而言，公开了一种用于在快速热处理期间控制支撑衬底和/或反射板的边缘环的温度以改善整个衬底上的温度均匀性的设备和方法，其包括用于加热或冷却边缘环的边缘环， 并且/或者可以使用任何其他方法。
摘要（英）：
It is disclosed an apparatus and method for achieving a uniform heating or cooling of the substrate during rapid thermal processing. In particular, the temperature of the apparatus and method for controlling the temperature of the edge ring to rapidly board and / or support a reflector plate for a heat treatment to improve uniformity is initiated over a substrate, which edge ring in order to heat or cool the edge ring and a plate or column adjacent to the mass.
公开/授权文献:
- KR101624984B1 열처리 챔버에서 웨이퍼 지지부의 온도 측정 및 제어 장치 및 방법 公开/授权日：2016-05-27