基本信息:
- 专利标题： 플라즈마 처리 장치
- 专利标题（英）：Plasma treatment apparatus
- 专利标题（中）：等离子处理设备
- 申请号：KR1020107021754 申请日：2009-03-31
- 公开(公告)号：KR1020100127803A 公开(公告)日：2010-12-06
- 发明人： 나카무라히데오 , 야마시타준 , 기타가와준이치 , 가베요시로 , 후쿠다요시노리
- 申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
- 申请人地址： *-* Akasaka *-chome, Minato-ku, Tokyo, Japan
- 专利权人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
- 当前专利权人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
- 当前专利权人地址： *-* Akasaka *-chome, Minato-ku, Tokyo, Japan
- 代理人： 제일특허법인
- 优先权： JPJP-P-2008-092423 2008-03-31; JPJP-P-2008-253930 2008-09-30
- 国际申请： PCT/JP2009/056679 2009-03-31
- 国际公布： WO2009123198 2009-10-08
- 主分类号： H05H1/46
- IPC分类号： H05H1/46 ; H01L21/3065
摘要：
탑재대(5)에 매설된 전극(7)에 바이어스용의 고주파 전력을 공급하는 플라즈마 산화 처리 장치(100)에서는 탑재대(5)에 대해서 대향 전극으로서 기능하는 알루미늄제의 덮개부(27)의 내주의 플라즈마에 노출되는 표면에, 보호막으로서의 실리콘막(48)이 코팅되어 있다. 실리콘막(48)에 인접해서 제 2 용기(3) 및 제 1 용기(2)의 내면에는 상부 라이너(49a) 및 이것보다 두껍게 형성된 하부 라이너(49b)가 마련되고, 이들 부위로의 단락이나 이상 방전이 방지되고, 적정한 고주파 전류 경로가 형성되어서 전력 소비 효율이 향상된다.
摘要（中）：
等离子体氧化装置100用于向埋设在载置台5上的电极7供给偏压用的高频电力，并且具有作为相对于载置台5的对置电极发挥功能的铝盖部27 在暴露于内周等离子体的表面上涂覆作为保护膜的硅膜48。 在第二容器3和第一容器2的与硅膜48相邻的内表面上设置有形成得比上衬里49a更厚的上衬里49a和下衬里49b， 防止放电并形成适当的高频电流路径，由此提高功耗效率。
摘要（英）：
Of the worktable (5), an electrode 7, a plasma oxidation treatment apparatus (100) to supply the high frequency power for bias embedded in the mounting table (5) features an aluminum cover 27 of which as a counter electrode with respect to the surface exposed to the plasma on the inner periphery, as a protective film is a silicon film 48 is coated. Adjacent to the silicon film 48, the second container (3) and the first container (2) of the inner surface of the top liner (49a) and which is provided with a more lower liner (49b) is formed thicker, a short circuit or at least to these sites discharge is prevented, and appropriate high-frequency current path is formed not be improved power consumption efficiency.
公开/授权文献:
- KR101317018B1 플라즈마 처리 장치 公开/授权日：2013-10-11