반도체 장치 및 그 제조 방법

专利标题： 반도체 장치 및 그 제조 방법
专利标题（英）：Semiconductor device and manufacturing method therefor
专利标题（中）：半导体装置及其制造方法
申请号：KR1020107019280 申请日：2009-12-11
公开(公告)号：KR1020100118590A 公开(公告)日：2010-11-05
发明人： 후지카와가즈히로 , 다마소히데토 , 하라다신 , 나미카와야스오
申请人： 스미토모덴키고교가부시키가이샤
申请人地址： 일본 오사카후 오사카시 쥬오쿠 기타하마 *쵸메 *반**고
专利权人： 스미토모덴키고교가부시키가이샤
当前专利权人： 스미토모덴키고교가부시키가이샤
当前专利权人地址： 일본 오사카후 오사카시 쥬오쿠 기타하마 *쵸메 *반**고
代理人： 김태홍; 신정건
优先权： JPJP-P-2008-319758 2008-12-16; JPJP-P-2009-244596 2009-10-23
国际申请： PCT/JP2009/070737 2009-12-11
国际公布： WO2010071084 2010-06-24
主分类号： H01L21/265
IPC分类号： H01L21/265 ; H01L21/337 ; H01L29/47 ; H01L29/808

摘要：

SiC를 소재로서 채용함으로써 본래 얻어지는 특성을 보다 확실하게 얻는 것이 가능한 반도체 장치인 JFET(1)는, 적어도 상부 표면(14A)이 탄화규소로 이루어지는 웨이퍼(10)와, 상부 표면(14A) 상에 형성된 게이트 컨택트 전극(21)을 구비한다. 웨이퍼(10)는, 상부 표면(14A)을 포함하도록 형성된 이온 주입 영역인 제1 p형 영역(16)을 포함한다. 제1 p형 영역(16)은, 상부 표면(14A)을 포함하도록 배치되는 베이스 영역(16A)과, 돌출 영역(16B)을 포함한다. 베이스 영역(16A)은, 상부 표면(14A)을 따른 방향에서의 폭(w
1 )이, 돌출 영역(16B)의 폭(w
2 )보다도 넓다. 게이트 컨택트 전극(21)은, 평면적으로 보아 그 전체가 제1 p형 영역(16)에 겹쳐지도록, 제1 p형 영역(16)에 접촉하여 배치되어 있다.

摘要（中）：

作为能够获得通过使用SiC作为材料固有地获得的特性的半导体器件的JFET 1包括：晶片10，其中至少上表面14A由碳化硅制成; 和栅极接触电极（21）。晶片10包括第一p型区域16，该第一p型区域16是形成为包括上表面14A的离子注入区域。第一p型区域16包括布置成包括上表面14A的基底区域16A和突出区域16B。基部区域16A在沿着上表面14A的方向上具有宽度w

摘要（英）：

By employing the SiC as a material JFET is capable semiconductor devices get more reliably the original obtained characteristics (1), at least the upper surface (14A) is a wafer 10 made of silicon carbide, formed on a top surface (14A) and a gate electrode contact (21). The wafer 10, including an ion implanted area in claim 1 p-type region 16 formed to include a top surface (14A). 1 the p-type region 16, comprises a base region that is arranged to an upper surface (14A), (16A) and a protruding area (16B). Larger than the base area (16A) has a width (w ₁₎ is, the width (w ₂₎ of the projecting region (16B) in a direction along the upper surface (14A). Gate contact electrode 21, when viewed in plan view in its entirety so as to overlap in claim 1 p-type region 16, and is disposed in contact with the first p-type region 1 (16).

KR101171586B1 반도체 장치 및 그 제조 방법 公开/授权日：2012-08-06

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H	电学
--H01	基本电气元件
----H01L	半导体器件；其他类目未包含的电固体器件
------H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
--------H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
----------H01L21/027	..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
------------H01L21/18	...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
--------------H01L21/26	....用波或粒子辐射轰击的
----------------H01L21/263	.....带有高能辐射的
------------------H01L21/265	......产生离子注入的

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