基本信息:
- 专利标题： 다수-스테이지 광학 균질화
- 专利标题（英）：Multi-stage optical homogenization
- 专利标题（中）：多阶段光学均匀化
- 申请号：KR1020100036873 申请日：2010-04-21
- 公开(公告)号：KR1020100116143A 公开(公告)日：2010-10-29
- 发明人： 제닝스,딘씨. , 토마스,티모시엔. , 호웰스,사무엘씨. , 아담스,브루스이. , 리,지핑
- 申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
- 申请人地址： **** Bowers Avenue, Santa Clara, CA *****, U.S.A.
- 专利权人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
- 当前专利权人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
- 当前专利权人地址： **** Bowers Avenue, Santa Clara, CA *****, U.S.A.
- 代理人： 특허법인 남앤드남
- 优先权： US61/171,202 2009-04-21
- 主分类号： H01L21/324
- IPC分类号： H01L21/324 ; H01L21/02
摘要：
PURPOSE: A multiple-stage optical homogenization is provided to improve the uniformity of a light radiating process by processing light using a plurality of optical homogenization apparatuses. CONSTITUTION: A multiple-stage optical homogenization includes a supporting assembly and an optical assembly. The supporting assembly supports a substrate(330). The optical assembly radiates light to a part of the substrate. The optical assembly includes radiating light supplying source, a first optical homogenization apparatus, and a second optical homogenization apparatus. The first optical homogenization apparatus includes a first micro-lens array(310), a second micro-lens array(312), and a first Fourier lens(314). The second optical homogenization apparatus includes a third micro-lens array(320), a fourth micro-lens array(322), and a second Fourier lens(324).
摘要（中）：
目的：提供多级光学均匀化，以通过使用多个光学均匀化装置处理光来提高光辐射过程的均匀性。 构成：多级光学均匀化包括支撑组件和光学组件。 支撑组件支撑衬底（330）。 光学组件将光辐射到衬底的一部分。 光学组件包括辐射光源，第一光学均匀化装置和第二光学均匀化装置。 第一光学均匀化装置包括第一微透镜阵列（310），第二微透镜阵列（312）和第一傅里叶透镜（314）。 第二光学均匀化装置包括第三微透镜阵列（320），第四微透镜阵列（322）和第二傅里叶透镜（324）。
公开/授权文献:
- KR101671160B1 다수-스테이지 광학 균질화 公开/授权日：2016-11-16
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/324 | .....用于改善半导体材料性能的热处理，例如退火、烧结 |