基本信息:
- 专利标题： 반도체 메모리 소자 및 그 구동방법
- 专利标题（英）：Semiconductor memory device and driving method therof
- 专利标题（中）：半导体存储器件及其驱动方法
- 申请号：KR1020090033877 申请日：2009-04-17
- 公开(公告)号：KR1020100115240A 公开(公告)日：2010-10-27
- 发明人： 최양규 , 최성진 , 한진우
- 申请人： 한국과학기술원
- 申请人地址： 대전광역시 유성구 대학로 ***(구성동)
- 专利权人： 한국과학기술원
- 当前专利权人： 한국과학기술원
- 当前专利权人地址： 대전광역시 유성구 대학로 ***(구성동)
- 代理人： 김성호
- 主分类号： H01L27/115
- IPC分类号： H01L27/115 ; H01L21/8242 ; H01L27/108 ; H01L21/8247
摘要：
PURPOSE: The semiconductor memory device and driving method the high speed operation possibles. The data retention time can be multiplied. CONSTITUTION: The semiconductor memory device and driving method as fusion memory device capable of the operation of the capacitor leaes DRAM device and non-volatile memory device. The first insulation layer(210), floating body cell, and source and drain, second insulation layer, floating gate(243), control gate(250) is included. The first insulation layer is formed in the top of the substrate.
摘要（中）：
目的：半导体存储器件和驱动方法的高速运行可能。 数据保留时间可以相乘。 构成：半导体存储器件和作为融合存储器件的驱动方法能够使电容器的操作使DRAM器件和非易失性存储器件成为可能。 包括第一绝缘层（210），浮体单元以及源极和漏极，第二绝缘层，浮动栅极（243），控制栅极（250）。 第一绝缘层形成在基板的顶部。
公开/授权文献:
- KR101027907B1 반도체 메모리 소자 및 그 구동방법 公开/授权日：2011-04-12
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/105 | ....包含场效应组件的 |
| ----------------H01L27/112 | .....只读存储器结构的 |
| ------------------H01L27/115 | ......电动编程只读存储器 |