基本信息:
- 专利标题： 반도체 장치 및 그 제조방법
- 专利标题（英）：Semiconductor device and method for fabricating the same
- 专利标题（中）：半导体器件及其制造方法
- 申请号：KR1020090029043 申请日：2009-04-03
- 公开(公告)号：KR1020100110613A 公开(公告)日：2010-10-13
- 发明人： 장동현 , 이인영 , 김남석
- 申请人： 삼성전자주식회사
- 申请人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 专利权人： 삼성전자주식회사
- 当前专利权人： 삼성전자주식회사
- 当前专利权人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 代理人： 특허법인 고려
- 主分类号： H01L23/12
- IPC分类号： H01L23/12
摘要：
PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to simplify a manufacturing process by not requiring an additional solder process and an additional via hole insulation layer. CONSTITUTION: A via hole is formed by removing the part of a substrate including a pad(408). An insulation layer is formed on the substrate. An opening unit including a plurality of openings to expose the part of pads is formed by removing the part of the insulation layer. A penetration electrode(440) is electrically connected to the pad through one opening and fills the via hole.
摘要（中）：
目的：提供半导体器件及其制造方法，以通过不需要额外的焊接工艺和附加的通孔绝缘层来简化制造工艺。 构成：通过去除包括衬垫（408）的衬底的一部分来形成通孔。 在基板上形成绝缘层。 通过去除绝缘层的一部分，形成包括用于露出焊盘部分的多个开口的开口单元。 穿透电极（440）通过一个开口电连接到焊盘，并填充通孔。
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/12 | .安装架，例如不可拆卸的绝缘衬底 |