基本信息:
- 专利标题： 탄화규소 반도체 장치
- 专利标题（英）：Silicon carbide semiconductor device
- 专利标题（中）：碳化硅半导体器件
- 申请号：KR1020107017807 申请日：2008-02-12
- 公开(公告)号：KR1020100105767A 公开(公告)日：2010-09-29
- 发明人： 다루이요이치로 , 오츠카겐이치 , 미우라나루히사 , 마츠노요시노리 , 이마이즈미마사유키
- 申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
- 申请人地址： *-*, Marunouchi *-Chome, Chiyoda-ku, Tokyo ***-**** Japan
- 专利权人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
- 当前专利权人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
- 当前专利权人地址： *-*, Marunouchi *-Chome, Chiyoda-ku, Tokyo ***-**** Japan
- 代理人： 제일특허법인
- 国际申请： PCT/JP2008/052230 2008-02-12
- 国际公布： WO2009101668 2009-08-20
- 主分类号： H01L29/06
- IPC分类号： H01L29/06 ; H01L29/78 ; H01L29/12
摘要：
반도체 소자로서 구동하는 셀부의 주위에 마련되어 있는 전계 완화를 위한 종단부에서의 내전압의 안정성과 고온 동작시의 신뢰성을 양립시킨 탄화규소 반도체 장치를 얻기 위해서, 이 종단부에서, 셀부측에 설치된 제 1 영역으로서의 웰 영역이 노출한 표면상에는, 내열성이 높은 무기 보호막을 마련하고, 웰 영역의 외측면에 접하여 셀부에서 떨어저(떠나) 설치된 전계 완화 영역과 탄화규소층이 노출한 표면상에는, 절연성이 높게 전하의 영향을 받기 어려운 유기 보호막을 마련하였다.
摘要（中）：
为了获得这两个在其中围绕电池单元提供的碳化硅半导体装置用于驱动半导体装置中，在端部部分用于电场应力控制端接部的耐电压的稳定性与高温动作的可靠性，所述第一安装在单元部侧 在所述一个区域作为阱区域是暴露的表面，在其上耐热性高设置无机保护膜，以及与安装低（左）电场限制区和所述碳化硅层中的阱区的外表面接触的下降在细胞，暴露的表面，绝缘是高度 提供了不易于充电的有机保护膜。
摘要（英）：
Claim to obtain a silicon carbide semiconductor device in which both the reliability in the withstand voltage of the reliability and high temperature operation in the terminal end for the provided electric-field stress in the surrounding cell region for driving a semiconductor device, in the end portion, is installed on the cell side 1 provide a region as a well region is formed on the exposed surface, a high heat-resistant inorganic protective layer, and in contact with the outer surface of the well region that fell in cell unit (leave) high is installed field limiting region and the silicon carbide layer is formed on the exposed surface of the insulating It prepared the organic protective film difficult to be affected by charge.
公开/授权文献:
- KR101190942B1 탄화규소 반도체 장치 公开/授权日：2012-10-12