基本信息:
- 专利标题： 산화물 반도체를 이용한 전계 효과형 트랜지스터 및 그 제조방법
- 专利标题（英）：Field effect transistor using oxide semiconductor and method for manufacturing the same
- 专利标题（中）：使用氧化物半导体的场效应晶体管及其制造方法
- 申请号：KR1020107012904 申请日：2008-12-10
- 公开(公告)号：KR1020100094509A 公开(公告)日：2010-08-26
- 发明人： 야노고키 , 가와시마히로카즈 , 이노우에가즈요시 , 도마이시게카즈 , 가사미마사시
- 申请人： 이데미쓰 고산 가부시키가이샤
- 申请人地址： 일본 도쿄도 지요다쿠 마루노우치 *쵸메 *반 *고
- 专利权人： 이데미쓰 고산 가부시키가이샤
- 当前专利权人： 이데미쓰 고산 가부시키가이샤
- 当前专利权人地址： 일본 도쿄도 지요다쿠 마루노우치 *쵸메 *반 *고
- 代理人： 제일특허법인
- 优先权： JPJP-P-2007-321898 2007-12-13
- 国际申请： PCT/JP2008/072387 2008-12-10
- 国际公布： WO2009075281 2009-06-18
- 主分类号： H01L29/786
- IPC分类号： H01L29/786 ; G02F1/136
摘要：
기판 상에, 적어도 반도체층과, 반도체층의 보호층과, 소스 전극과, 드레인 전극과, 게이트 절연막과, 게이트 전극을 갖고, 소스 전극과 드레인 전극이, 반도체층을 통해서 접속되어 있고, 게이트 전극과 반도체층 사이에 게이트 절연막이 있고, 반도체층의 적어도 1면측에 보호층을 갖고, 반도체층이, In(인듐) 원소, Zn(아연) 원소 및 Ga(갈륨) 원소를 하기 (1) 내지 (3)의 원자 비율로 포함하는 복합 산화물로 이루어지는 전계 효과형 트랜지스터.
In/(In+ Zn)= 0.2 내지 0.8 (1)
In/(In+ Ga)= 0.59 내지 0.99 (2)
Zn/(Ga+ Zn)= 0.29 내지 0.99 (3)
摘要（英）：
In/(In+ Zn)= 0.2 내지 0.8 (1)
In/(In+ Ga)= 0.59 내지 0.99 (2)
Zn/(Ga+ Zn)= 0.29 내지 0.99 (3)
On a substrate, at least a semiconductor layer, a semiconductor layer protective layer, a source electrode, and has a drain electrode, a gate insulating film, a gate electrode, and a source electrode and a drain electrode, it is connected via a semiconductor layer, a gate electrode and there is a gate insulating film between the semiconductor layer and has a protective layer on at least one surface side of the semiconductor layer, to the semiconductor layer, in (indium) element, Zn (zinc) element and Ga (gallium), the element (1) to ( 3 field-effect transistor made of a composite oxide containing a proportion of atom).
In / (In + Zn) = 0.2 to 0.8 (1)
In / (In + Ga) = 0.59 to 0.99 (2)
Zn / (Zn + Ga) = 0.29 to 0.99 (3)
公开/授权文献:
- KR101518091B1 산화물 반도체를 이용한 전계 효과형 트랜지스터 및 그 제조방법 公开/授权日：2015-05-06
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |
| ------------------H01L29/786 | ......薄膜晶体管 |