基本信息:
- 专利标题: 산화물 반도체를 이용한 전계 효과형 트랜지스터 및 그 제조방법
- 专利标题(英):Field effect transistor using oxide semiconductor and method for manufacturing the same
- 专利标题(中):使用氧化物半导体的场效应晶体管及其制造方法
- 申请号:KR1020107012904 申请日:2008-12-10
- 公开(公告)号:KR1020100094509A 公开(公告)日:2010-08-26
- 发明人: 야노고키 , 가와시마히로카즈 , 이노우에가즈요시 , 도마이시게카즈 , 가사미마사시
- 申请人: 이데미쓰 고산 가부시키가이샤
- 申请人地址: 일본 도쿄도 지요다쿠 마루노우치 *쵸메 *반 *고
- 专利权人: 이데미쓰 고산 가부시키가이샤
- 当前专利权人: 이데미쓰 고산 가부시키가이샤
- 当前专利权人地址: 일본 도쿄도 지요다쿠 마루노우치 *쵸메 *반 *고
- 代理人: 제일특허법인
- 优先权: JPJP-P-2007-321898 2007-12-13
- 国际申请: PCT/JP2008/072387 2008-12-10
- 国际公布: WO2009075281 2009-06-18
- 主分类号: H01L29/786
- IPC分类号: H01L29/786 ; G02F1/136
In/(In+ Zn)= 0.2 내지 0.8 (1)
In/(In+ Ga)= 0.59 내지 0.99 (2)
Zn/(Ga+ Zn)= 0.29 내지 0.99 (3)
On a substrate, at least a semiconductor layer, a semiconductor layer protective layer, a source electrode, and has a drain electrode, a gate insulating film, a gate electrode, and a source electrode and a drain electrode, it is connected via a semiconductor layer, a gate electrode and there is a gate insulating film between the semiconductor layer and has a protective layer on at least one surface side of the semiconductor layer, to the semiconductor layer, in (indium) element, Zn (zinc) element and Ga (gallium), the element (1) to ( 3 field-effect transistor made of a composite oxide containing a proportion of atom).
In / (In + Zn) = 0.2 to 0.8 (1)
In / (In + Ga) = 0.59 to 0.99 (2)
Zn / (Zn + Ga) = 0.29 to 0.99 (3)
公开/授权文献:
- KR101518091B1 산화물 반도체를 이용한 전계 효과형 트랜지스터 및 그 제조방법 公开/授权日:2015-05-06
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件 |
--------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
------------H01L29/70 | ...双极器件 |
--------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |
------------------H01L29/786 | ......薄膜晶体管 |