基本信息:
- 专利标题： 바이폴라 트랜지스터의 컬렉터 저항 감소 및 ＣＭＯＳ 흐름으로의 집적 방법
- 专利标题（英）：Method to reduce collector resistance of a bipolar transistor and integration into a cmos flow
- 专利标题（中）：降低双极晶体管的集电极电阻并集成到CMOS流中的方法
- 申请号：KR1020097019023 申请日：2007-02-14
- 公开(公告)号：KR1020100015305A 公开(公告)日：2010-02-12
- 发明人： 첸,알란,에스. , 다이슨,마크 , 로씨,나세,엠. , 싱,란비르 , 유안,찌아오준
- 申请人： 에이저 시스템즈 엘엘시
- 申请人地址： **** American Parkway NE, Allentown, Pennsylvania *****, U.S.A.
- 专利权人： 에이저 시스템즈 엘엘시
- 当前专利权人： 에이저 시스템즈 엘엘시
- 当前专利权人地址： **** American Parkway NE, Allentown, Pennsylvania *****, U.S.A.
- 代理人： 장훈
- 国际申请： PCT/US2007/062100 2007-02-14
- 国际公布： WO2008100312 2008-08-21
- 主分类号： H01L21/8249
- IPC分类号： H01L21/8249
摘要：
The invention, in one aspect, provides a method for fabricating a semiconductor device. In one aspect, the method provides for a dual implantation of a tub of a bipolar transistor. The tub in bipolar region is implanted by implanting the tub through separate implant masks that are also used to implant tubs associated with MOS fabricate different voltage devices in a non-bipolar region during the fabrication of MOS transistors.
摘要（中）：
本发明在一个方面提供一种用于制造半导体器件的方法。 在一个方面，该方法提供双注入双极晶体管的桶。 通过将单独的注入掩模注入到双极区域中，通过在MOS晶体管的制造期间也用于植入与在非双极区域中制造不同电压器件的MOS相关联的管道的桶。
公开/授权文献:
- KR101320913B1 바이폴라 트랜지스터의 컬렉터 저항 감소 및 ＣＭＯＳ 흐름으로의 집적 방법 公开/授权日：2013-10-21
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/78 | ...把衬底连续地分成多个独立的器件 |
| --------------H01L21/782 | ....制造多个器件，每一个由单个电路元件组成 |
| ----------------H01L21/822 | .....衬底是采用硅工艺的半导体的 |
| ------------------H01L21/8222 | ......双极工艺 |
| --------------------H01L21/8249 | .......双极和MOS工艺 |