基本信息:
- 专利标题： 열처리 방법
- 专利标题（英）：Heat treatment method
- 专利标题（中）：热处理方法
- 申请号：KR1020080024567 申请日：2008-03-17
- 公开(公告)号：KR1020090099371A 公开(公告)日：2009-09-22
- 发明人： 장인구 , 이유진 , 김동제
- 申请人： 주식회사 티지오테크
- 申请人地址： 경기도 화성시 동탄면 동탄산단*길 **
- 专利权人： 주식회사 티지오테크
- 当前专利权人： 주식회사 티지오테크
- 当前专利权人地址： 경기도 화성시 동탄면 동탄산단*길 **
- 代理人： 김한
- 主分类号： H01L21/324
- IPC分类号： H01L21/324
摘要：
A heat treatment method is provided to prevent deformation of a substrate by positioning a weight on a laminated substrate. A second substrate(10b) is laminated on a first substrate(10a). A weight(20) is laminated on the second substrate. Thin films(12) of the first substrate and the second substrate are contacted. The weight is a quartz plate. An additional substrate is continuously laminated on the second substrate.
摘要（中）：
提供一种热处理方法，以通过将重量定位在层压基板上来防止基板的变形。 第二基板（10b）层叠在第一基板（10a）上。 重物（20）层叠在第二基板上。 使第一基板和第二基板的薄膜（12）接触。 重量是石英板。 在第二基板上连续地层叠另外的基板。
公开/授权文献:
- KR100962610B1 열처리 방법 公开/授权日：2010-06-11
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/324 | .....用于改善半导体材料性能的热处理，例如退火、烧结 |