基本信息:
- 专利标题： 원자층 증착기를 이용한 나노점 어레이 제조 방법
- 专利标题（英）：Fabrication method of nano-dots array using atomic layer deposition and sensor including the nano-dots array
- 专利标题（中）：使用原子层沉积的纳米光束阵列的制作方法和包括纳米光束阵列的传感器
- 申请号：KR1020080010104 申请日：2008-01-31
- 公开(公告)号：KR1020090084115A 公开(公告)日：2009-08-05
- 发明人： 권혁 , 방준하 , 하정숙
- 申请人： 고려대학교 산학협력단
- 申请人地址： 서울특별시 성북구 안암로 ***, 고려대학교 (안암동*가)
- 专利权人： 고려대학교 산학협력단
- 当前专利权人： 고려대학교 산학협력단
- 当前专利权人地址： 서울특별시 성북구 안암로 ***, 고려대학교 (안암동*가)
- 代理人： 송인호; 민영준; 최관락
- 主分类号： H01L21/205
- IPC分类号： H01L21/205 ; H01L21/203 ; B82B3/00 ; B82Y40/00
摘要：
A fabrication method of nano-dots array using atomic layer deposition and a sensor including the nano-dots array are provided to uniformly manufacture the nano-dot array using a porosity nano template. A substrate(302) in which a porosity nano template(300) is arranged is provided to the inside of reaction chamber. The porosity nano template comprises the air bubble of the cylinder type which is formed by using the triblock copolymer. The first bubbler including the first precursor is set up to the temperature range in advance. The second bubbler including the second precursor is set up to the temperature range in advance. The first precursor and the second precursor are successively supplied to the reaction chamber. The first precursor and the second precursor successively react on the substrate surface exposed inside the air bubble.
摘要（中）：
提供使用原子层沉积的纳米点阵列的制造方法和包括纳米点阵列的传感器，以使用孔隙度纳米模板均匀地制造纳米点阵列。 在反应室内部设置有布置有孔隙度纳米模板（300）的基板（302）。 孔隙度纳米模板包括通过使用三嵌段共聚物形成的气缸型气泡。 将包括第一前体的第一起泡器预先设定到温度范围。 包括第二前体的第二起泡器被预先设定到温度范围。 第一前体和第二前体依次供应到反应室。 第一前体和第二前体在暴露在气泡内部的基底表面上连续反应。
公开/授权文献:
- KR100953297B1 원자층 증착기를 이용한 나노점 어레이 제조 방법 公开/授权日：2010-04-20
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长 |
| ----------------H01L21/205 | .....应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积 |