基本信息:
- 专利标题： ⅠⅠⅠ족 질화물 반도체 결정 기판 및 반도체 디바이스
- 专利标题（英）：Group iii nitride semiconductor crystal substrate and semiconductor device
- 专利标题（中）：III类氮化物半导体晶体基板和半导体器件
- 申请号：KR1020080115148 申请日：2008-11-19
- 公开(公告)号：KR1020090052288A 公开(公告)日：2009-05-25
- 发明人： 오카히사다쿠지 , 가와세도모히로 , 우에무라도모키 , 니시오카무네유키 , 아라카와사토시
- 申请人： 스미토모덴키고교가부시키가이샤
- 申请人地址： 일본 오사카후 오사카시 쥬오쿠 기타하마 *쵸메 *반**고
- 专利权人： 스미토모덴키고교가부시키가이샤
- 当前专利权人： 스미토모덴키고교가부시키가이샤
- 当前专利权人地址： 일본 오사카후 오사카시 쥬오쿠 기타하마 *쵸메 *반**고
- 代理人： 김태홍; 송승필
- 优先权： JPJP-P-2007-300460 2007-11-20
- 主分类号： H01L33/30
- IPC分类号： H01L33/30
摘要：
본 발명에 따른 III족 질화물 반도체 결정 기판은 25 ㎜ 이상 160 ㎜ 이하의 직경을 갖는 III족 질화물 반도체 결정 기판(20a)이다. III족 질화물 반도체 결정 기판(20a)의 저항률이 1×10
-4 Ω cm 이상 0.1 Ω cm 이하이다. III족 질화물 반도체 결정 기판(20a)의 직경 방향의 저항률의 분포가 -30% 이상 30% 이하이다. III족 질화물 반도체 결정 기판(20a)의 두께 방향의 저항률의 분포가 -16% 이상 16% 이하이다.
摘要（英）：
-4 Ω cm 이상 0.1 Ω cm 이하이다. III족 질화물 반도체 결정 기판(20a)의 직경 방향의 저항률의 분포가 -30% 이상 30% 이하이다. III족 질화물 반도체 결정 기판(20a)의 두께 방향의 저항률의 분포가 -16% 이상 16% 이하이다.
A Group III nitride semiconductor crystal substrate is a group III nitride semiconductor crystal substrate (20a) having a diameter of not less than 25 ㎜ ㎜ 160 according to the present invention. The resistivity of the group III nitride semiconductor crystal substrate (20a) is more than 1 × 10 -4 Ω cm 0.1 Ω cm or less. The resistivity distribution in the diameter direction of group III nitride semiconductor crystal substrate (20a) is not more than 30% -30%. The distribution of the resistivity in the thickness direction of group III nitride semiconductor crystal substrate (20a) is not more than 16% -16% or more.
公开/授权文献:
- KR101444954B1 ⅠⅠⅠ족 질화물 반도체 결정 기판 및 반도체 디바이스 公开/授权日：2014-09-26