基本信息:
- 专利标题： ＺｎＯ계 화합물 반도체 층의 제조방법
- 专利标题（英）：Manufacture method for zno-containing compound semiconductor layer
- 专利标题（中）：含ZOC复合半导体层的制备方法
- 申请号：KR1020080076045 申请日：2008-08-04
- 公开(公告)号：KR1020090023094A 公开(公告)日：2009-03-04
- 发明人： 야마무로토모후미 , 사노,미찌히로 , 카또,히로유키 , 오가와,아끼오
- 申请人： 스탄레 덴끼 가부시키가이샤
- 申请人地址： 일본국 도쿄도 메구로꾸 나까메구로 * 쪼메 *반 **고
- 专利权人： 스탄레 덴끼 가부시키가이샤
- 当前专利权人： 스탄레 덴끼 가부시키가이샤
- 当前专利权人地址： 일본국 도쿄도 메구로꾸 나까메구로 * 쪼메 *반 **고
- 代理人： 송한천
- 优先权： JPJP-P-2007-00224577 2007-08-30
- 主分类号： H01L21/20
- IPC分类号： H01L21/20
摘要：
A method of manufacturing the ZnO system compound semiconductor layer is provided to improve the flatness of the ZnO system compound semiconductor layer by irradiating S as surfactant. The substrate(9) is prepared. The ZnO system compound semiconductor layer is formed in the upward of substrate by supplying S as surfactant and Zn, O as the source gas at the same time. Only S less than 0.1atom% can be included in the ZnO system compound semiconductor layer. The band gap of the ZnO system compound semiconductor layer can be equal to the band gap of ZnO.
摘要（中）：
提供一种制造ZnO系化合物半导体层的方法，通过照射S作为表面活性剂来提高ZnO系化合物半导体层的平坦度。 制备基材（9）。 通过同时提供S作为表面活性剂和Zn，O作为源气体，在衬底的上方形成ZnO系化合物半导体层。 在ZnO系化合物半导体层中只能含有小于0.1原子％的S。 ZnO系化合物半导体层的带隙可以等于ZnO的带隙。
公开/授权文献:
- KR101458629B1 ＺｎＯ계 화합물 반도체 층의 제조방법 公开/授权日：2014-11-07
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长 |