基本信息:
- 专利标题： 반도체 소자의 배선 및 그의 형성방법
- 专利标题（英）：Line of semiconductor device and method for manufacturing the same
- 专利标题（中）：半导体器件系列及其制造方法
- 申请号：KR1020070063249 申请日：2007-06-26
- 公开(公告)号：KR1020080114057A 公开(公告)日：2008-12-31
- 发明人： 김정태 , 염승진 , 김백만 , 이영진 , 정동하
- 申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
- 申请人地址： 경기도 이천시 부발읍 경충대로 ****
- 专利权人： 에스케이하이닉스 주식회사
- 当前专利权人： 에스케이하이닉스 주식회사
- 当前专利权人地址： 경기도 이천시 부발읍 경충대로 ****
- 代理人： 강성배
- 主分类号： H01L21/28
- IPC分类号： H01L21/28
摘要：
A wiring of a semiconductor device and a method for forming the same are provided to reduce thickness of a diffusion barrier and improve a characteristic of the diffusion barrier by forming a first TiN layer with oxygen and a second TiN layer without oxygen as the diffusion barrier. A wiring of a semiconductor device includes metal wirings(104,124), and a diffusion barrier(122). The metal wiring is damascened by a predetermined pattern inside the insulating layer. The diffusion barrier is formed in a surface where the metal wiring is damascened. The diffusion barrier has a triple structure of a Ta series layer, a first TiN layer, and a second TiN layer.
摘要（中）：
提供半导体器件的布线及其形成方法以通过形成具有氧的第一TiN层和没有氧的第二TiN层作为扩散阻挡层来减小扩散阻挡层的厚度并改善扩散阻挡层的特性。 半导体器件的布线包括金属布线（104,124）和扩散阻挡层（122）。 金属布线在绝缘层内部被预定的图案化。 扩散阻挡层形成在金属布线被遮蔽的表面中。 扩散阻挡层具有Ta串联层，第一TiN层和第二TiN层的三重结构。
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/28 | ....用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的 |