基本信息:
- 专利标题： 압전체 박막, 압전체 및 그 제조 방법과, 압전체 박막을이용한 압전체 공진자, 액추에이터 소자 및 물리 센서
- 专利标题（英）：Piezoelectric thin film, piezoelectric material, and fabrication method of piezoelectric thin film and piezoelectric material, and piezoelectric resonator, actuator element, and physical sensor using piezoelectric thin film
- 专利标题（中）：压电薄膜，压电材料和压电薄膜和压电材料的制造方法，压电谐振器，致动器元件和使用压电薄膜的物理传感器
- 申请号：KR1020080050510 申请日：2008-05-29
- 公开(公告)号：KR1020080106072A 公开(公告)日：2008-12-04
- 发明人： 아키야마모리토 , 가모하라도시히로 , 우에노나오히로 , 가노가즈히코 , 데시가하라아키히코 , 다케우치유키히로 , 가와하라노부아키
- 申请人： 내셔날 인스티튜트 오브 어드밴스드 인더스트리얼 사이언스 앤드 테크놀로지 , 가부시키가이샤 덴소
- 申请人地址： *-*, KASUMIGASEKI *-CHOME, CHIYODA-KU, TOKYO ***-****, JAPAN
- 专利权人： 내셔날 인스티튜트 오브 어드밴스드 인더스트리얼 사이언스 앤드 테크놀로지,가부시키가이샤 덴소
- 当前专利权人： 내셔날 인스티튜트 오브 어드밴스드 인더스트리얼 사이언스 앤드 테크놀로지,가부시키가이샤 덴소
- 当前专利权人地址： *-*, KASUMIGASEKI *-CHOME, CHIYODA-KU, TOKYO ***-****, JAPAN
- 代理人： 특허법인신성
- 优先权： JPJP-P-2007-00144851 2007-05-31; JPJP-P-2008-00098480 2008-04-04
- 主分类号： H01L41/16
- IPC分类号： H01L41/16 ; H01L41/18 ; H01L41/187 ; H01L21/203
摘要：
A piezoelectric thin film is provided to reduce the power consumption and miniature the RF-MEMS device using the aluminium nitrate membrane contains the scandium. An aluminium nitrate membrane contains the scandium. When the total amount of the atom number of the aluminium nitrate membrane and the scandium is 100 atom %, the inclusion rate of the scandium is in range of 0.5~50 atom %. The aluminium nitrate membrane is installed on the top of the substrate. At least one layer of the intermediate layer is installed between the aluminium nitrate membrane and the substrate.
摘要（中）：
提供了一种压电薄膜，以减少使用包含钪的硝酸铝膜的RF-MEMS器件的功耗和微型化。 硝酸铝膜含有钪。 当硝酸铝膜和钪原子数的总量为100原子％时，钪的包合率在0.5〜50原子％的范围内。 硝酸铝膜安装在基板的顶部。 至少一层中间层安装在硝酸铝膜和基底之间。