基本信息:
- 专利标题： 복수개의 소자를 상호 격리시키기 위한 에어캐비티를구비한 시스템 온 칩 구조물, 듀플렉서, 및 그 제조 방법
- 专利标题（英）：System on chip structure comprising air cavity for isolating elements, duplexer and duplexer fabrication method thereof
- 专利标题（中）：用于隔离元件，双面器和双工器制造空气的芯片结构系统
- 申请号：KR1020050119113 申请日：2005-12-07
- 公开(公告)号：KR1020070059798A 公开(公告)日：2007-06-12
- 发明人： 이주호 , 박해석 , 송인상 , 하병주 , 홍석우
- 申请人： 삼성전자주식회사
- 申请人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 专利权人： 삼성전자주식회사
- 当前专利权人： 삼성전자주식회사
- 当前专利权人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 代理人： 정홍식
- 主分类号： H03H3/02
- IPC分类号： H03H3/02 ; H03H9/24
摘要：
A system on chip structure comprising an air cavity for isolating elements, a duplexer, and a fabrication method thereof are provided to simplify a process by forming the air cavity together when manufacturing an air gap in manufacturing a device such as an FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator) requiring the air gap. A duplexer(100) includes a substrate(110). A transmitting stage filter(120) is formed in a first area of one surface of the substrate(110). A receiving stage filter(130) is formed in a second area of one surface of the substrate(110). An air cavity(140) is manufactured by etching the substrate(110) between the first area and the second area. The air cavity(140) isolates the transmitting stage filter(120) and the receiving stage filter(130) from each other.
摘要（中）：
提供了一种包括用于隔离元件的空气腔，双工器及其制造方法的片上系统结构，以便在制造诸如FBAR（薄膜体声波）的装置中制造气隙时，通过将气腔形成在一起来简化工艺 谐振器）需要气隙。 双工器（100）包括基板（110）。 透射级过滤器（120）形成在衬底（110）的一个表面的第一区域中。 接收级过滤器（130）形成在衬底（110）的一个表面的第二区域中。 通过在第一区域和第二区域之间蚀刻基板（110）来制造空气腔（140）。 空气腔（140）将发射级过滤器（120）和接收级过滤器（130）彼此隔离。
公开/授权文献:
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H03 | 基本电子电路 |
| ----H03H | 阻抗网络，例如谐振电路；谐振器 |
| ------H03H3/00 | 专用于制造阻抗网络、谐振电路、谐振器的设备或方法 |
| --------H03H3/007 | .用于制造机电谐振器或网络 |
| ----------H03H3/02 | ..用于制造压电或电致伸缩谐振器或网络 |