基本信息:
- 专利标题： 이중 게이트 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조방법
- 专利标题（英）：Double gate field effect transistor and manufacturing method for the same
- 专利标题（中）：双栅场效应晶体管及其制造方法
- 申请号：KR1020030064153 申请日：2003-09-16
- 公开(公告)号：KR1020050027781A 公开(公告)日：2005-03-21
- 发明人： 윤재만 , 박동건 , 진교영 , 요시다마코토 , 박태서
- 申请人： 삼성전자주식회사
- 申请人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 专利权人： 삼성전자주식회사
- 当前专利权人： 삼성전자주식회사
- 当前专利权人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 代理人： 리앤목특허법인
- 主分类号： H01L27/092
- IPC分类号： H01L27/092
摘要：
A dual gate FET(Field Effect Transistor) and a manufacturing method thereof are provided to prevent the degradation of electrical properties by forming thickly a non-channel gate oxide layer on predetermined portions of a silicon substrate. A plurality of fins(102) are protruded from a silicon substrate(100b) of an active region, wherein each fin has a first and second side. A source and drain region are formed at both edges of the fin. A channel region is formed in the fin. A channel gate oxide layer(180) is formed on the first and second sides of the fin. A pad insulating pattern(110a) is formed on the fin. An isolation pattern(170a) is filled in a trench isolation region. A non-channel gate oxide layer(106a) is formed between the fins on the substrate. A gate line(190) is formed on the resultant structure.
摘要（中）：
提供双栅极FET（场效应晶体管）及其制造方法，以通过在硅衬底的预定部分上形成非沟道栅氧化层来防止电性能的劣化。 多个翅片（102）从有源区的硅基板（100b）突出，其中每个翅片具有第一和第二侧。 源极和漏极区域形成在鳍片的两个边缘处。 在翅片中形成沟道区域。 在鳍片的第一和第二侧上形成沟道栅氧化层（180）。 在翅片上形成焊盘绝缘图案（110a）。 隔离图案（170a）填充在沟槽隔离区域中。 在基板上的翅片之间形成非沟道栅氧化层（106a）。 在所得结构上形成栅极线（190）。
公开/授权文献:
- KR100555518B1 이중 게이트 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조방법 公开/授权日：2006-03-03
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/085 | ....只包含场效应的组件 |
| ----------------H01L27/088 | .....有绝缘栅场效应晶体管的组件 |
| ------------------H01L27/092 | ......互补MIS场效应晶体管 |