基本信息:
- 专利标题： 반도체장치
- 专利标题（英）：Semiconductor device
- 专利标题（中）：用于根据供电电压设置功能和状态的半导体器件适用于选件设置
- 申请号：KR1020030032175 申请日：2003-05-21
- 公开(公告)号：KR1020040032039A 公开(公告)日：2004-04-14
- 发明人： 시바타준
- 申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
- 申请人地址： *-*, Marunouchi *-Chome, Chiyoda-ku, Tokyo ***-**** Japan
- 专利权人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
- 当前专利权人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
- 当前专利权人地址： *-*, Marunouchi *-Chome, Chiyoda-ku, Tokyo ***-**** Japan
- 代理人： 권태복; 이화익
- 优先权： JPJP-P-2002-00295175 2002-10-08
- 主分类号： H01L21/60
- IPC分类号： H01L21/60
摘要：
PURPOSE: A semiconductor device for setting functions and states according to a supply voltage applied to an option setup pad is provided to prevent the generation of cracks on an interlayer dielectric or pad peeling in an option setting process by improving a structure of the semiconductor device. CONSTITUTION: An interlayer dielectric is formed on a semiconductor substrate(2). The first pad is formed on the interlayer dielectric. Circumferential edges of the first pad are covered with the first surface-protecting layer(11a). The second pad is formed on the interlayer dielectric facing the first pad across the second surface-protecting film(11b). Circumferential edges of the second pad are covered with the third surface-protecting film(11c). A conductor is provided continuously on the first pad, the first to third surface-protecting layers, and the second pad.
摘要（中）：
目的：提供一种用于根据施加到选项设置焊盘的电源电压来设置功能和状态的半导体器件，以通过改善半导体器件的结构来防止在选项设置过程中在层间电介质或焊盘剥离时产生裂纹。 构成：在半导体衬底（2）上形成层间电介质。 第一焊盘形成在层间电介质上。 第一焊盘的周向边缘被第一表面保护层（11a）覆盖。 第二焊盘形成在跨越第二表面保护膜（11b）的面向第一焊盘的层间电介质上。 第二垫的周向边缘被第三表面保护膜（11c）覆盖。 在第一焊盘，第一至第三表面保护层和第二焊盘上连续地设置导体。
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/50 | ...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的 |
| --------------H01L21/60 | ....引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流 |