基本信息:
- 专利标题： 반도체장치 및 그 제조방법
- 专利标题（英）：A Semiconductor device and a metnod of manufacturing the same
- 专利标题（中）：空值
- 申请号：KR1020030011585 申请日：2003-02-25
- 公开(公告)号：KR1020030074159A 公开(公告)日：2003-09-19
- 发明人： 나카지마야수유키 , 모리타토시아키 , 마쯔자와토모오 , 도모이세이이치 , 가와나베나오키
- 申请人： 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 , 가부시키가이샤 히타치초에루.에스.아이.시스테무즈
- 申请人地址： *-*, Marunouchi *-chome, Chiyoda-ku, Tokyo, Japan
- 专利权人： 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼,가부시키가이샤 히타치초에루.에스.아이.시스테무즈
- 当前专利权人： 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼,가부시키가이샤 히타치초에루.에스.아이.시스테무즈
- 当前专利权人地址： *-*, Marunouchi *-chome, Chiyoda-ku, Tokyo, Japan
- 代理人： 특허법인원전
- 优先权： JPJP-P-2002-00061765 2002-03-07
- 主分类号： H01L21/60
- IPC分类号： H01L21/60
반도체 기판상의 TiN막, Al막(M3b) 및 TiN막으로 이루어지는 제3층 배선상에 있어서, Al막(M3b)이 노출한 본딩패드부(BP)상에, 본딩와이어의 볼부(B)를 접착시킬 때, Al막(M3b)과 금볼부(B)와의 접속영역(d)과, Al막(M3b)과 금볼부(B)와의 사이에 형성되는 Al-Au 합금층(50)의 형성영역의 지름(g)과의 관계를, g≥0.8d로 하고, 접촉영역의 지름(d)과 금볼부(B)의 최대 외주 지름(D)과의 관계를 d≥0.8D로 한다. 그 결과, Al막(M3b)(제3층 배선)이 박막이라도, 금볼부(B)와의 접착성을 확보할 수 있고, 또한 쇼트 마진을 확보할 수 있다.
To improve the adhesion to the bowl section of a bonding pad portion of the wiring and the bonding wires to improve the reliability of the semiconductor device. In the third layer wirings formed of a TiN film on a semiconductor substrate, an Al film (M3b) and a TiN film on the Al film bonding pad portion (BP) a (M3b) is exposed, adheres the bowl (B) of the bonding wire when, Al of the forming area of the film (M3b) and gold bowl section (B) with connection area (d) and, Al film (M3b) and gold bowl (B) Al-Au alloy layer 50 is formed between the the relationship between the diameter (g), in g≥0.8d, and the relationship between the maximum outer diameter (d) of the diameter (d) and a gold bowl (B) of the contact area to d≥0.8D. As a result, Al film (M3b) even (the third-layer wiring), a thin film, it is possible to ensure the adhesion between the gold bowl (B), it may also be secured to the short margin.
公开/授权文献:
- KR100968008B1 반도체장치 및 그 제조방법 公开/授权日：2010-07-07
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/50 | ...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的 |
| --------------H01L21/60 | ....引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流 |