基本信息:
- 专利标题： 반도체 소자의 본딩 패드 구조 및 그 제조방법
- 专利标题（英）：Bonding pad structure of semiconductor device and method for fabricating the same
- 专利标题（中）：半导体器件的结合焊盘结构及其制造方法
- 申请号：KR1020010003677 申请日：2001-01-26
- 公开(公告)号：KR1020020063015A 公开(公告)日：2002-08-01
- 发明人： 김현철
- 申请人： 삼성전자주식회사
- 申请人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 专利权人： 삼성전자주식회사
- 当前专利权人： 삼성전자주식회사
- 当前专利权人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 代理人： 김능균
- 主分类号： H01L21/60
- IPC分类号： H01L21/60
摘要：
PURPOSE: A bonding pad structure is provided to increase a step coverage of the bonding pad without additional processes by respectively forming an insulating layer on a first metal pad and a P-poly pattern. CONSTITUTION: A bonding pad structure comprises a semiconductor substrate(100), a first interlayer dielectric(102) formed on the semiconductor substrate(100), a P-poly pattern(104) formed on a pad formation region on the first interlayer dielectric(102), a second interlayer dielectric(106) formed on the P-poly pattern(104) and the first interlayer dielectric(102), a first metal pad(108) having a smaller size than the P-poly pattern(104) formed on the second interlayer dielectric(106), a third interlayer dielectric(110) formed on the first metal pad(108) and the second interlayer dielectric(106), a second metal pad(112) formed on the resultant structure so as to be directly connected to the first metal pad(108) and the P-poly pattern(104) through via holes and a protection layer(114) for exposing a defined region of the second metal pad(112).
摘要（中）：
目的：提供焊盘结构，以通过在第一金属焊盘和P-poly图案上分别形成绝缘层来增加焊盘的台阶覆盖，而无需附加工艺。 构成：焊盘结构包括半导体衬底（100），形成在半导体衬底（100）上的第一层间电介质（102），形成在第一层间电介质上的焊盘形成区域上的P多晶型（104） 102），形成在P多晶型（104）和第一层间电介质（102）上的第二层间电介质（106），具有比形成的P多晶型（104）小的尺寸的第一金属焊盘（108） 在第二层间电介质（106）上形成在第一金属焊盘（108）和第二层间电介质（106）上的第三层间电介质（110），形成在所得结构上的第二金属焊盘（112） 通过通孔和用于暴露第二金属焊盘（112）的限定区域的保护层（114）直接连接到第一金属焊盘（108）和P多晶型（104）。
公开/授权文献:
- KR100368115B1 반도체 소자의 본딩 패드 구조 및 그 제조방법 公开/授权日：2003-01-15
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/50 | ...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的 |
| --------------H01L21/60 | ....引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流 |