基本信息:
- 专利标题： 집적 회로 및 그 제조 방법
- 专利标题（英）：Integrated circuit and process for producing the same
- 专利标题（中）：集成电路及其制造方法
- 申请号：KR1020000074189 申请日：2000-12-07
- 公开(公告)号：KR1020010062217A 公开(公告)日：2001-07-07
- 发明人： 마뇨키,촐탄
- 申请人： 인피니언 테크놀로지스 아게
- 申请人地址： Am Campeon *-**, ***** Neubiberg, Germany
- 专利权人： 인피니언 테크놀로지스 아게
- 当前专利权人： 인피니언 테크놀로지스 아게
- 当前专利权人地址： Am Campeon *-**, ***** Neubiberg, Germany
- 代理人： 남상선
- 优先权： DE199589062 1999-12-07
- 主分类号： H01L21/027
- IPC分类号： H01L21/027
摘要：
PURPOSE: An integrated circuit and its manufacturing method is provided to detect an error caused by taking an incorrect mask at manufacture of an integrated circuit having a specified function desired by user. CONSTITUTION: The integrated circuit has the second structure(S2) which is used to materialize a predetermined function generated using an exposure mask(MSKi) on several fixed wiring levels(M1,M2,P) and is used to inspect the attribution of a used mask to a common mask set(MSKS), on the several fixed wiring levels, in addition to the first structure(S1).
摘要（中）：
目的：提供一种集成电路及其制造方法，用于在制造具有用户期望的指定功能的集成电路时检测由于错误掩模所引起的误差。 构成：集成电路具有第二结构（S2），其用于实现在几个固定布线层（M1，M2，P）上使用曝光掩模（MSKi）产生的预定功能，并用于检查所使用的属性 除了第一个结构（S1）之外，在几个固定布线电平上的掩模到公共掩模集（MSKS）。
公开/授权文献:
- KR100752809B1 집적 회로 및 그 제조 방법 公开/授权日：2007-08-29
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |