基本信息:
- 专利标题： 전기화학 장치 처리 방법 및 그 전기화학 장치
- 专利标题（英）：Method for treating an electrochemical device
- 专利标题（中）：电化学装置处理方法及其电化学装置
- 申请号：KR1020007002243 申请日：1999-07-08
- 公开(公告)号：KR1020010023595A 公开(公告)日：2001-03-26
- 发明人： 베텔르,파비엔 , 기론,쟝-크리스토프
- 申请人： 쌩-고벵 글래스 프랑스
- 申请人地址： 프랑스, 에프-***** 꾸르브브와, 아비뉘 달자스 **
- 专利权人： 쌩-고벵 글래스 프랑스
- 当前专利权人： 쌩-고벵 글래스 프랑스
- 当前专利权人地址： 프랑스, 에프-***** 꾸르브브와, 아비뉘 달자스 **
- 代理人： 문경진; 조현석
- 优先权： FR98/08928 1998-07-10
- 国际申请： PCT/FR1999/001653 1999-07-08
- 国际公布： WO2000003289 2000-01-20
- 主分类号： G02F1/153
- IPC分类号： G02F1/153
摘要：
본발명은, 이온및 전자를가역적및 동시에삽입할수 있고 2개의전기전도층사이에배열된하나이상의전기화학적으로활성인층(4)을포함하는, 기능층들의스택(2)이제공된하나이상의운반체기판을포함하는전기화학적장치, 특히전기크롬타입장치를처리하기위한방법에관한것이다. 상기처리는상기스택(2)에서비활성인주변구역의범위를정하기위해서하나이상의전기전도층들(3, 8)의기능성을국부적으로억제하는것으로구성된다.
摘要（英）：
The present invention, the ions and electrons reversibly and can be inserted and at the same time of two to one or more electrochemical arranged between the conductive layer stack of, the functional layer including the active layer 4, (2) the one provided above electrochemical device comprising a carrier substrate, and in particular relates to a method for processing chromium type electric device. The processing is configured to inhibit the functionality of one or more electrically conductive layers (3, 8) in order to determine the extent of the peripheral zone of inactivity from the stack (2) locally.
公开/授权文献:
- KR100632274B1 전기화학 장치 처리 방법 및 그 전기화학 장치 公开/授权日：2006-10-11