基本信息:
- 专利标题： 반도체 기억 장치 및 그 제조 방법
- 专利标题（英）：KR960012506A - The semiconductor memory device and a method of manufacturing the same
- 申请号：KR1019950030194 申请日：1995-09-15
- 公开(公告)号：KR1019960012506A 公开(公告)日：1996-04-20
- 发明人： 가와쿠보다카시 , 에구치가즈히로 , 고마츠슈이치 , 아베가즈히데
- 申请人： 가부시끼가이샤 도시바
- 申请人地址： 일본국 도꾜도 미나또꾸 시바우라 *쪼메 *방 *고
- 专利权人： 가부시끼가이샤 도시바
- 当前专利权人： 가부시끼가이샤 도시바
- 当前专利权人地址： 일본국 도꾜도 미나또꾸 시바우라 *쪼메 *방 *고
- 代理人： 김윤배; 이세진
- 优先权： JP94-248444 1994-09-17
- 主分类号： H01L27/108
- IPC分类号： H01L27/108
摘要：
반도체기억장치는 반도체기판과, 기판상에 제공된 절연층 및, 메모리셀로 이루어진다. 메모리셀은 기판상에 제공된 스위칭 트랜지스터와, 절연층에 만들어진 트렌치에 전하저장소자를 갖춘다. 전하저장소자는 하부전극과, 유전체층 및, 상기 순서로 차례로 퇴적한 상부전극을 구비하여 이루어진다.
摘要（英）：
The semiconductor memory device is formed of a insulating layer, and a memory cell provided on the semiconductor substrate and the substrate. The memory cell is equipped with those switching transistors, the charge storage in the trench made in the insulating layer provided on the substrate. The charge storage and the lower electrode, is achieved by having a top electrode is deposited and then a dielectric layer, wherein the order.
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/105 | ....包含场效应组件的 |
| ----------------H01L27/108 | .....动态随机存取存储结构的 |