基本信息:
- 专利标题： 반도체 레이저 다이오드 제조방법
- 专利标题（英）：Manufacturing method of semiconductor laser diode
- 专利标题（中）：半导体激光二极管的制造方法
- 申请号：KR1019910019770 申请日：1991-11-07
- 公开(公告)号：KR1019940007605B1 公开(公告)日：1994-08-20
- 发明人： 안형수 , 최원택
- 申请人： 주식회사 엘지이아이
- 申请人地址： 서울특별시 영등포구 여의대로 *** (여의도동)
- 专利权人： 주식회사 엘지이아이
- 当前专利权人： 주식회사 엘지이아이
- 当前专利权人地址： 서울특별시 영등포구 여의대로 *** (여의도동)
- 代理人： 김용인; 심창섭
- 主分类号： H01S5/323
- IPC分类号： H01S5/323
摘要：
The method is for manufacturing a laser diode having mono-mode operation at high speed modulation and stable mono-mode operation at thermal variation. The method comprises the steps of: (A) etching a substrate (1) to form a ridge; (B) growing an AlGaAs layer (3) and a GaAs layer (4) to a ridge depth; (C) forming a GaAs layer (5) and etching to form a current injection channel in length direction of a ridge; (D) growing a DH layer (6) and etching to set length of diode resonator; (E) forming electrodes and etching the AlGaAs layer (3) to form a mirror; and (F) cutting by using ultra-sonic and coating a mirror.
摘要（中）：
该方法用于制造在高速调制下具有单模操作的激光二极管和在热变化下稳定的单模操作。 该方法包括以下步骤：（A）蚀刻衬底（1）以形成脊; （B）将AlGaAs层（3）和GaAs层（4）生长至脊深度; （C）形成GaAs层（5）并蚀刻以在脊的长度方向上形成电流注入通道; （D）生长DH层（6）并蚀刻以设定二极管谐振器的长度; （E）形成电极并蚀刻AlGaAs层（3）以形成反射镜; 和（F）使用超声波切割并涂上镜子。
公开/授权文献:
- KR100080315B1 반도체 레이저 다이오드 제조방법 公开/授权日：1994-12-12
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01S | 利用受激发射的器件 |
| ------H01S5/00 | 半导体激光器 |
| --------H01S5/02 | .基本上不涉及激光作用的结构零件或组件 |
| ----------H01S5/32 | ..含有PN结的，例如异结的或双异质结的结构 |
| ------------H01S5/323 | ...用AⅢBⅤ族化合物材料的，例如AlGaAs-激光器 |